Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 141 142 143 144 145 146 147... 423 424 425
|
|
|
|
О 20 4Q 60 во WO tMUH Рис. 5.1. Толщина перекристаллизованного слоя h на пластинах кремния с ориентацией 100, 110 и 111 в зависимости от времени отжига t при температуре 550°С. Предварительная обработка пластин сводилась к облучению ионами ^^Si при температуре жидкого азота [13] Рис. 5.2. Скорость эпитаксиального роста аморфного кремния Уотн в зависимости от концентрации примеси С. Кривая I соответствует имплантации ионов ^ip и отжигу при температуре 475°С, а кривая 2 — ^^О и отжигу при температуре 550°С в пластину кремния с ориентацией 100. Скорость роста свободного от оо примеси участка образца равна 1,5 А/с при 550°С и 0,054 А/с при 475°С [11] кремния на поверхностях создавался аморфный слой толщиной -^4000 А. Все плоскости обладают одинаковой энергией активации перекристаллизации (2,35 эВ), но существенно различными скоростями роста. На образцах с ориентацией 100 перекристаллизация происходит в 3 раза быстрее, чем на образцах с ориентацией 110, и примерно в 25 раз быстрее начальной скорости роста на площадках с ориентацией (111). Рост кристаллической фазы в пластинах с ориентацией (111) описывается нелинейной зависимостью от времени отжига и характеризуется явно выраженным двойникованием вдоль плоскостей (111). Двойники занимают 30... 40% общего объема перекристаллизованного слоя [12]. Детальное изучение перекристаллизации, проведенное в Калифорнийском технологическом институте, показало, что незначительная концентрация легирующей примеси (атомная доля ^^1%) может сильно увеличить (например, ионы бора, фосфора, мышьяка) или уменьшить (например, ионы кислорода, гзота, углерода) скорость поверхностной перекристаллизации пластины кремния с ориентацией (100) [14, 15]. Влияние имплантации ионов фосфора и кислорода на перекристаллизационные процессы в кристалле кремния с ориентацией поверхности (100) иллюстрируется данными рис, 5.2. Скорость перекристаллизации пронормирована на величину, соответствующую нелегированным образцам. Хорошо видно возрастание скорости перекристаллизации при легировании фосфором и уменьшение при легировании кислородом. Более поздние 143
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 141 142 143 144 145 146 147... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
