Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 140 141 142 143 144 145 146... 423 424 425
|
|
|
|
твердофазный отжиг может происходить в піироком температурно-временном интервале (в зависимости от используемых методов обработки), основные механизмы перекристаллизации и перераспределения примеси остаются неизменными. В данной главе основное внимание уделено поверхностной перекристаллизации кремния при печном отжиге. Там, где это необходимо, будут рассмотрены соответствующие результаты, относящиеся к неравновесным методам отжига. 5.2. Обзор экспериментальных результатов Кинетика ТФЭР определяется несколькими параметрами, включая ориентацию нижележащей подложки, тип и концентрацию имплантированной примеси. Однако работы, выполненные в Калифорнийском технологическом институте, показали, что кинетика эпи-таксиального роста при имплантации в кремний с ориентацией 100 ионов Si*^ достаточно проста [2], При таком, не связанном с введением инородных атомов легировании плоская граница раздела между аморфной и кристаллической областями движется к поверхности с постоянной скоростью. Энергия активации процесса равна 2,35 эВ. При печном отжиге с температурой 550°С скорость движения границы раздела составляет 1,5 А/с, а образующийся при эпитаксиальном росте слой оказывается относительно свободным от дефектов [12]. При использовании для получения аморфного кремния пластин с ориентацией поверхности, отличной от (100), и ионов других типов кинетика формирования и структура поверхностного слоя могут значительно усложняться. Кроме того, перераспределение примесных атомов может предшествовать перекристаллизационному отжигу или идти параллельно с ним. Сегрегация примесных атомов и образование выделений при высоких концентрациях легирующей примеси также оказывают влияние на кинетику роста и кристаллическую структуру. Вместе с тем если условия отжига таковы, что диффузионная длина имплантированных примесных атомов во время перекристаллизации мала (^--1 А), то возможен твердофазный эпитаксиальный рост кремния с сохранением метастабильной концентрации примеси в решетке кремния, В следующих разделах будут последовательно рассмотрены процессы, происходящие при перекристаллизации. 5.2.1. влияние примесных атомов на перекристаллизацию Имплантация малых доз ионов. На рис. 5.1 хорошо видна сильная зависимость скорости эпитаксиального роста от ориентации нижележащей подложки [13]. На рисунке показана зависимость толщины слоя от времени отжига при температуре 550°С. Термообработке подвергались кремниевые пластины с ориентацией (100), 110 и 111. Посредством предварительного облучения ионами 142
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 140 141 142 143 144 145 146... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
