Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 139 140 141 142 143 144 145... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 5. Процессы твердофазной перекристаллизации в кремнии Цж. С. Вильяме, отдел связи и инженерной электроники Королевского Мельбурнского технологического института, Австралия По материалам: С. //. Камписано, Л. Ж. Куллис, С. С. Лоу, Дж. В. Майер, Д. Тернбалл, С. В. Уайт 5.1. Введение Ионная имплантация в кристаллический кремний приводит, как правило, к образованию аморфного метастабильного приповерхностного слоя, претерпевающего перекристаллизацию при соответствующей термообработке. Процесс перекристаллизации происходит обычно эпитаксиально на нижележащей основе кристаллического кремния, в зависимости от режима термообработки перекристаллизация происходит в жидкой либо в твердой фазе, в гл. 4 рассматривалось поведение материалов при отжиге с применением интенсивного и быстротечного (измеряется в наносекундах) лазерного или электронного облучения, которые вызывают локальное плавление приповерхностных слоев, в результате перекристаллизация происходит посредством жидкофазной эпитаксии. Такие способы отжига вызывают весьма своеобразные закономерности распределения примеси, сегрегации, пересыщения. Величина наблюдаемых эффектов зависит от скорости движения границы жидкость — твердое тело (в диапазоне ^ 1 м/с) при сверхбыстром затвердевании. В этой главе рассмотрены особенности протекания отжига в условиях твердофазной перекристаллизации приповерхностного слоя кремния. При таких условиях отжиг также может приводить к существенным особенностям движения примесей и эффектов пересыщения, хотя скорость перекристаллизации может на десять порядков (1 А/с) уступать скорости при сверхбыстром жид-кофазном эпитаксиальном росте. Твердофазный эпитаксиальный рост (ТФЭР) кремния обычно осуществляется в печи при температурах более 500°С (1, 2], Вместе с тем твердофазная перекристаллизация может осуществляться в значительно более коротких временных интервалах при использовании сканирующего лазера в непрерывном режиме или электронных пучков [3—6], а также ленточных нагревателей, мощных дуговых ламп, солнечных и некогерентных источников света [7—И]. Лазерное и электронное облучение могут вызывать подъем поверхностной температуры более чем до 900°С на время, исчисляемое в миллисекундах, тогда как методы второй группы обеспечивают разогрев до бОО^'С за время от единиц до сотен секунд. Хотя 141
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 139 140 141 142 143 144 145... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
