Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 136 137 138 139 140 141 142... 423 424 425
|
|
|
|
объемные 2р-уровни. Для исходного кремния и кремния, легированного 7% As 2р-уровни одинаковы для энергий hv^lOS эВ и hv = = 120 эВ, т. е. поверхностные (S) и объемные {В) 2р 3/2-уровни совпадают по энергии связи. Это свидетельствует об условии "плоской" зоны на поверхности, как показано в левой части рис. 4.35, где СВ и VB — границы зоны проводимости и валентной зоны. Фактом, представляющим значительный интерес, является то обстоятельство, что при концентрации 7% As или выше сдвиг Ер наблюдается во всем промежутке от энергии 0,5 эВ для исходного Si (1X1) ДО минимума зоны проводимости при энергии 1,1 эВ. Напылением тонкой пленки золота на такую поверхность можно показать, измеряя ядерные Si 2р-уровни, что Ер остается неизменным (с точностью до энергии 50 мэВ). Таким образом, формируется барьер Шоттки с "нулевой высотой". При легировании 4% As и 1% В зоны в поверхностной области изгибаются вверх и вниз соответственно. Расширение и размазывание спектров по сравнению с наблюдаемыми для исходного кремния отражает распределение энергии ядерных 2р-уровней в исследуемой области. 4.3.6. Выводы по поверхностным свойствам Свойства поверхностной зоны кристаллов кремния, как было показано, могут быть изменены лазерным отжигом в СВВ. Получение атомарно-чистых поверхностей за время обработки С1 с и восстановление геометрического порядка в поверхностном слое поврежденного кристалла свидетельствуют о том, что этот метод обработки может быть использован вместо традиционных методов подготовки поверхности. Комбинируя лазерный отжиг с ионной имплантацией, можно регулировать и геометрическую структуру кристаллической решетки (межатомные расстояния) и электронную структуру поверхностного слоя. Указанные результаты свидетельствуют о потенциальных возможностях лазерного отжига в СВВ как для изучения поверхности, так и для практических приложений. Хотя метод был опробован широко только на кристаллах кремния, полученные данные дают основание считать его применимым к широкому кругу материалов. Для более полного понимания этого метода обработки поверхности и определения его возможностей требуются, однако, дополнительные исследования поверхностных свойств материалов, облученных лазером, а также их изменений в зависимости от режимов отжига (скорости перекристаллизации, глубины проплавлення). СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1.Laser-SoHd Interactions and Laser Processing 1978/Ed. S. D. Ferris, H. J. Leamy, J. M. Poate. N. Y„ American Inst, of Physics, 1979. 2.Laser and Electron Beam Processing of Materials/Eds. C. W. White, P. S. Peercy. N. Y., Academic Press, 1980, 138
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 136 137 138 139 140 141 142... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
