Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 135 136 137 138 139 140 141... 423 424 425
 

1 а Рис. 4.34. Фотоэмиссиониые спектры (Я£)05) для валентных зон отожженных лазером поверхностей (111)-(1X1) исходного и легированного кремния. Уровни —0,4 и —1,3 эВ соответствуют поверхностным состояниям. Формы у поверхности: / — 7% As, {Ер-^Е^)^\Л эВ; 5-4% As (Л/.-£'^)=0,6; 5 исходный кремний, {Ер-В^)^ "=0,5; ^—1% в. (£"/7—£у)=0,25; 5 — угловое разрешение х-пуа'впл; Е^^, E^s и Л^ —обозначают положения максимума валентной зоны, минимума зоны проводимостя уровня Ферми. Рйс. 4.35, Интегрированные по углам фотоэмнссионные спектры ядерных Si 2р-уровней для четырех поверхностей кремния, показанных на рис. 4.34, Уровень нулевой энергии связи соответствует Si 2р2/з объемного Si (lll)-(lXl). Схемы в левой части соответствуют искажениям зон и положениям энергетиче оо ских уровней, глубины выхода t^S А для hv==l2Q эВ и 13 А для Av — = 108 эВ. Сплошные линии—/iv —120 эВ, штриховые — ^v=108 эВ. Кривые ї—4 соответствуют рис. 4.34 [21] легирования от 4 до 7% уровень Ер значительно сдвигается и становится близок к минимуму зоны проводимости Et* в то же время верхнее поверхностное состояние 5р2-типа продолжает снижать свою интенсивность и при 7% почти не выделяется, а нижнее поверхностное состояние становится очень интенсивным. Минимумы зоны проводимости Amin вблизи X становятся заполненными, и эмиссия от этих уровней наблюдается в виде интенсивных эллиптических лепестков в разрешенных по углам фотоэмяссионных спектрах (линия 5 на рис. 4.34). Спектры ядерных Si 2р-уровней, приведенные на рис. 4.35, были получены при использовании энергий фотонов hv=l08 эВ (штри--ховые линии) и 120 эВ (сплошные линии), которым соответствуют "объемно-чувствительные" и "поверхностно-чувствительные" спектры соответственно [71]. Буквами S н В обозначены поверхностные и 137
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 135 136 137 138 139 140 141... 423 424 425

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Расчеты тепловых процессов при сварке
Сборка и сварка корпусов судов
Технологія конструкційних матеріалів і матеріалознавство: Практикум: Навч.посібник
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Металловедение пайки
Теорія зварювальних процесів. Дослідження фізико-хімічних і металургійних процесів та здатності металів до зварювання
Справочник по сварке цветных металлов

rss
Карта