Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 133 134 135 136 137 138 139... 423 424 425
|
|
|
|
возникает интересный вопрос в связи с данными ДМЭ [20], находящимися в таком хорошем соответствии с результатами использования модели структуры (1X1), которая, однако, не соответствует описанию электронной структуры поверхности. Одно из возможных объяснений указанных противоречий — это нечувствительность метода ДМЭ к нарушению дальнего порядка, если оно имеет место на поверхности (1X1). Другим объяснением является тот факт, что фотоэмиссия может выявить релаксированную, упорядоченную структуру (1X1) только если поверхностные состояния обладают зонной структурой, как полагается в одноэлектронной зонной теории. Однако для этих узких поверхностных уровней могут быть очень важными корреляционные эффекты. Недавно были выдвинуты теоретические модели [66, 67], на основе которых можно согласовать эти исследования фотоэмиссии поверхности Si (lll)-(lXl) с гипотезой неперестроенной релаксированной поверхности, полученной на основе данных анализа ДМЭ. В этих моделях полагается, что сильные корреляции определяют зонную структуру поверхностного состояния. Это предположение подтверждается, в частности, экспериментальным изучением поверхности спайности Si (111)-(2X1), при котором обнаружено существование двух состояний разорванных связей [68]. Обе модели предсказывают низкотемпературное антиферромагнитное основное состояние и падение дисперсии разорванной связи по Г—/ при низкой температуре. Эти предсказания могут быть проверены экспериментально. Были опубликованы результаты еще двух работ по исследованию фотоэмиссии отожженной лазером поверхности Si (111)(1 X 1) в различных условиях отжига [69, 70]. В них не было обнаружено занятых состояний в запрещенной зоне в согласии с описанными выше предположениями, в одной из этих работ на основе наблюдения слабых полуупорядоченных пучков и фотоэмиссионных спектров, подобных наблюдаемым для Si (111)-(2X1), доказывается, что отожженная лазером поверхность формируется не дальним порядком, а реконструкцией (2X1) ближнего порядка [70]. Предполагалось, что различные условия лазерного отжига (глубина проплавлення, скорость перекристаллизации) могут привести к образованию различных поверхностных структур. Если это справедливо, то лазерный отжиг при различных режимах может способствовать пониманию движущих причин реконструкций, наблюдаемых при использовании обычных методов обработки. 4.3.5. Электронные свойства поверхности высоколегированного кремния Выполненными ранее исследованиями показано, что при имплантации бора и мышьяка в кремний они занимают в нем узлы замещения после лазерного отжига, даже если концентрация значительно выше порога равновесной растворимости [10]. Эти исследования дали основания предполагать, что имплантация и лазер 135
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 133 134 135 136 137 138 139... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
