Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 132 133 134 135 136 137 138... 423 424 425
|
|
|
|
-5 Е,эВ Рис. 4.33Спектры Si 2рз/2 уровней ядер (1) для поверхностей Si (111)-(IX XI) (а), Si (111)-(7х7) (б) и Si (lll)-(lXl) (в); ^v=120 эВ |[61]: 2 — вклад внешнего двойного слоя поверхностных атомов На рис. 4.33 приведены интегрированные по углам фотоэмиссионные спектры ядерных уровней Si 2р2/зДля поверхностей (IX XI) и (7X7). Кривые / на этом рисунке соответствуют энергии фотонов /iv=120 эВ, т. е. энергии, при которой спектры являются поверхностно чувствительными (глубина выхода 5,4 А), а примерно половина интенсивности эмиссии соответствует внешнему двойному слою атомов кремния. Чтобы получать эти спектры, общий спектр 2р-уровня разделен на подобные компоненты 2pi/2 и 2рг/2у а затем вычтен 2рз/2-спектр для "объемной" компоненты, соответствующей нижележащим слоям. Итоговые кривые 2 показывают спектральные распределения поверхностных ядерных уровней для наружных двух слоев поверхности (один двойной слой). Положение линий, соответствующих объему, оказалось идентичным (с точностью до энергии 20 мэВ) для обеих поверхностей, т. е. для них характерен тот же самый изгиб зоны на поверхности [Ef—Ev= (0,5±0,05)эВ]. Как видно из рис. 4.33, поверхностные ядерные 2рз/2-уровнй (кривые 2) для структур (1X1) и (7X7) очень сходны и сильно отличаются от спектра для Si (111)-Н(1X 1). Первые два спектра характеризуются пиками низкой энергии связи, причем для поверхности (1X1) этот пик при энергии —0,8 эВ относится к объему с интенсивностью, соответствующей величине ^ (1/4+1/12) слоя атомов, для поверхности (7X7) этот пик при энергии —0,7 эВ с интенсивностью, соответствующей '^/( 1/6+1/12) поверхностного слоя атомов. Оба поверхностных спектра имеют ядерные уровни на высокоэнергетической стороне линии, соответствующей объему, расположенные примерно в одинаковом положении. Большое сходство валентных зон поверхностных состояний и спектров поверхностных ядерных уровней для отожженной лазером поверхности (1X1) и термически отожженной поверхности (7X7) свидетельствует о том, что эти поверхности имеют сходные геометрии локальных связей и отличаются в основном геометрическими перестройками дальнего порядка, которые являются только возмущением средней геометрии локальных связей, в этом случае 134
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 132 133 134 135 136 137 138... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
