Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 131 132 133 134 135 136 137... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 4.32. Интегрированный по углам фотоэлектронный спектр для валентных зон и 2р-уров-ней ядер поверхностей Si (Ill)-(iXl), отожженной лазером, и Si (111)-(7х7) отожженной термически. Два выделяющихся уровня поверхностных состояний видны для обеих поверхностей: уровни типа Рг при —0,85 эВ и уровни при 1-1,8 эВ 161] ^ От^'^иг г:зсром (Ер Е/)^'05эВ ^ Исходный 5/ W Efy) ~9 -7 -5 ~3 -1 Ер ных термическим отжигом поверхности (1X1) [61]. Измерения проводились с использованием спектрометра с дисплеем на синхронном источнике излучения "Танталус-1", Интегрированный по углам фотоэмиссионный спектр представлен на рис. 4,32 для поверхности (1X1), отожженной лазером, и для поверхности (7X7), полученной термическим отжигом поверхности (1X1) до температуры ^1175 КШтрих-пунктирной кривой для поверхности (1X1) показан спектр, полученный после выдержки в водороде [^500 ленгмюр (6,55 Па-с) активированного водорода], которая привела к образованию почти насыщенного монослоя водорода на поверхности. Разность между сплошной и штриховой кривой внутри диапазона энергий -^3 эВ относительно Ер соответствует эмиссии поверхностного состояния. Два характерных признака поверхностного состояния видны при энергии— 1,8 и —0,85 эВ (относительно Ер) для поверхностей как (1X1), так и (7X7). Хотя эти признаки поверхностного состояния соответствуют различным угловым распределениям эмиссии, результаты, наблюдаемые у обеих поверхностей, одинаковы. Для поверхности (7X7) третий, более слабый пик виден для уровня Ферми Ер, который на величину энергии (G,5rb0,05) эВ выше максимума валентной зоны Е-о. Он свидетельствует о четко выраженном гексагональном угловом распределении эмиссии, которое достигает максимума на границе зоны Бриллюэна элементарной ячейки поверхности (2X2). Эти состояния при энергии Ер, которая соответствует ^^3% от общей интенсивности эмиссии поверхностных состояний внутри диапазона -^3 эВ от Ер, как представляется, вызваны реконструкцией поверхности (7X7) от состояний —0,85 эВ. Такая реконструкция, проявляющаяся в соответствующем уменьшении интенсивности для (^Х7), не находится в согласии с предсказаниями расчетов одно-электронной зоны для нереконструированной поверхности, и поэтому представляется несовпадающей со структурной моделью этой поверхности, определенной методом ДМЭ. с другой стороны, методы расчета, пренебрегающие внутриузловыми корреляциями, могут быть неправомерны в определении поверхностных энергетических зон. 133
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 131 132 133 134 135 136 137... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
