Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 130 131 132 133 134 135 136... 423 424 425
|
|
|
|
тальное описание расчетов приведено в работе [20] и ниже даны только их конечные результаты. Сравнение расчетных профилей динамической ДМЭ с измеренными профилями I—VI дает основание предположить, что первый межплоскостной промежуток di2 сокращен на (25,5±2,5)%, а второй промежуток Й2з увеличен на (3,2+1,5)% по сравнению с промежутком в объеме материала. Расчетные профили для этих величин приведены на рис, 4-31, на котором показаны экспериментально полученные профили и факторы надежности R для отдельных пучков. Общий 7?-фактор, усредненный по шести пучкам, данные для которых приведены на рис. 4.31, равен 0,115, что указывает на хорошее соответствие между расчетом н экспериментальными данными по ДМЭ. Это также свидетельствует о высокой вероятности предполагаемой структуры модели. Более того, величина R значительно ниже, чем любое из известных значений, полученных методом ДМЭ при анализе любых полупроводников. Изменения межплоскостных расстояний, определенные в этом исследовании, соответствуют изменению длины связи между ближайшими соседями от —0,058 до +0,075 А. Следует отметить, что интерпретация результатов, полученных в недавних работах по обратимым высокотемпературным (^1150 К) переходам от структуры (7X7) к (1x1), привела к выводу о том, что выше температуры перехода существует неупорядоченная поверхность [65]. Хотя данные ДМЭ, приведенные выше, подтверждают высокую вероятность структурной модели облученной лазером поверхности, они могут быть отнесены только к упорядоченным структурам. Так как для облученной лазером поверхности характерен необратимый переход структуры от (1x1) к (7X7) при ^700 К, то изучение этого перехода могло бы помочь в определении различий между моделями для каждой из поверхностных структур. 4.3.4. Электронная структура Si (lll)-(lXl) Исследование электронной структуры приповерхностной зоны отожженной лазером поверхности Si (111) представляет интерес с точки зрения данных ДМЭ, обсужденных выше. Теоретические расчеты в одноэлектронном приближении зонной структуры предсказывают, что такая поверхность должна быть металлической, с полузаполненной зоной состояний разорванных связей при энергии Ферми Егу и должна очень сильно отличаться от наблюдаемой при отжиге поверхности Si (111)-(7X7) и поверхности спайности Si (111)-(2x1) [64]. Во всех этих расчетах предполагалось, что поверхностные состояния имеют зонную структуру. Были выполнены фотоэмиссионные исследования с разрешением и с интегрированием по углам для валентных зон поверхностных состояний и для поверхностных сдвигов ядерных уровней, у отожженных лазером поверхностей Si (111)-(1x1), подготовленных, как для исследования ДМЭ, а также у поверхностей Si (111)-(7Х7), подготовлен 132
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 130 131 132 133 134 135 136... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
