Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 122 123 124 125 126 127 128... 423 424 425
|
|
|
|
зались в согласий с термодинамическими оценками для бездиффу-знойного затвердевания. В будущем подобного рода эксперименты могут выполняться как при более высоких, так и при более низких скоростях кристаллизации. Чтобы увеличить эту скорость, необходимо использовать более короткие импульсы облучения, а для замедления необходимо увеличить время подвода энергии. Вопросами, которые требуют дальнейшего, более глубокого изучения являются: определение коэффициентов распределения при достижении ими насыщения, более тщательная проверка прогнозируемых термодинамических пределов введения примеси, роль ориентационных эффектов в захвате примеси, введение примесей внедрения и переходы в аморфное состояние. Результаты данных экспериментов должны обеспечить твердую основу для понимания высокоскоростной неравновесной кристаллизации. 4.3. Свойства поверхности В п. 4.2 описывались процессы высокоскоростной неравновесной кристаллизации, которые могут быть изучены при импульсном лазерном отжиге полупроводников, в процессе быстрой жидкофазной эпитаксиальной перекристаллизации, вызванной лазерным отжигом, к кристаллу добавляются новые атомарные плоскости за время /^10"^^ с и процесс заканчивается на поверхности. После затвердевания зона перекристаллизации охлаждается до комнатной температуры с первоначальной скоростью --^10^ К/с. Чрезвычайно высокие скорости охлаждения и неравновесная природа процесса эпитаксиальной перекристаллизации при лазерном отжиге дают основания предполагать, что свойства поверхностей (как структурные, так и электронные) отожженных лазером полупроводников должны значительно отличаться от свойств поверхностей, полученных обычными методами. Здесь будут обсуждены свойства поверхности кристаллов кремния (обладающих собственной проводимостью и высоколегированных), которые подвергались импульсному лазерному отжигу. Для получения информации о свойствах поверхностной зоны (1 ...20 А) отожженных лазером полупроводников облучение и последующий анализ должны выполняться в сверхвысоком вакууме (СВВ), т. е. при разрежении :^10-^ Па. В исследованиях, описанных в данном параграфе, луч рубинового лазера с модулированной добротностью (Я = 6943 А) вводился в систему, где поддерживался СВВ, через стеклянное окно, а образцы облучались при использовании режима одномодовых импульсов (ТЕМоо) рубинового лазера при плотностях энергии ^0,2... 4,0 Дж/см^. Длргтель-ность импульса поддерживалась постоянной (15 не), а диаметр пучка был равен 3... 6 мм. В спектроскопических исследованиях использовались в качестве падающих частиц электроны или фотоны, а детектируемыми частицами во всех случаях были электроны. По 124
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 122 123 124 125 126 127 128... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
