Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 4.26. Просвечивающие электронные микрофотографии поверхности кремния (100), имплантированного ионами аргона Аг+ с дозой 2-10^^ см"^ при энергии-150 кэВ [52]: й — снимок поверхности с перефокусировкой слоя, отожженного лазером с плотностью-энергии 2,2 Дж/см2 (видны пузырьки); б и 8 — поперечные сечения слоя сразу после км.-плантации и после лазерного отжига при плотности энергии 2,2 Дж/см^ соответственно лазером с плотностью энергии 2,2 Дж/см^ привел к совершенной перекристаллизации разупорядоченного слоя кремния, и в нем осталось немного протяженных дефектов кристаллической структуры. Однако отожженная зона (рис. 4.26, а) содержит плотную сетку пузырьков, заполненных газом. Их распределение по глубине соответствует распределению имплантированного аргона, как это видно из фотографий поперечного сечения (рис. 4.26, б, в). Было^ отмечено, что почти весь аргон выделился в расплаве кремния в свободную фазу, произошли рост пузырьков и их коалесценция. Будучи относительно неподвижными, пузырьки остались захваченными на своих местах в тот момент, когда произошла перекристаллизация. В приведенном выше обсуждении рассматривалось выделение вторичной фазы примеси, которое происходит в процессе самого лазерного отжига. Однако также можно реализовать растворение имеющихся в системе вторичных фаз примесей, обладающих некоторой растворимостью. Так, например, если фосфор диффундирует в монокристалл кремния из газа [60], то образуются много дислокационных петель и в то же время фаза силицидов. Когда такой образец подвергался лазерному отжигу, было обнаружено, что дефекты и выделившаяся вторичная фаза почти полностью переходили в зону временного проплавлення. Этот эффект иллюстрируется рис. 4.27, на котором показано, что кремниевая матрица освобождается от частиц вторичной фазы на глубину, которая зависит от плотности энергии лазерного излучения. Аналогичное растворение вторичной фазы наблюдалось в слоях кремния после диффузионного борирования и лазерного отжига [8]. Таким образом, ясно, что лазерное проплавление и высокоскоростная перекристал 122
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
