Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 119 120 121 122 123 124 125... 423 424 425
|
|
|
|
мости от скорости перекристаллизации. Последняя кривая, безусловно, дает лучшую аппроксимацию, и экспериментальные данные, отложенные на рисунке точками, показывают, насколько хорошо теория соответствует опыту. в некоторых случаях примеси, вводимые в кремний, обладают малой растворимостью как в твердой, так и в жидкой фазах, и поэтому при лазерном отжиге могут наблюдаться иные сегрегационные процессы. Хороший пример этого — поверхность (111) кремния, имплантированная углеродом [58], для которой доминирующим параметром, определяющим конечное состояние системы, является скорость перекристаллизации. Как показано на рис. 4.25, а имплантация 10^6 ионов углерода С+ при энергии 40 кэВ привела вначале к образованию аморфного слоя кремния. Тем не менее после отжига излучением рубинового импульсного лазера с длительностью импульса 30 не, плотностью энергии 2Дж/см2и при комнатной температуре подложки в нижней части слоя образовался монокристаллический кремний, а верхняя часть зоны содержала плотные скопления частиц вторичной фазы р—SiC (рис. 4.25, б). Эти частицы распределены случайным образом без признаков образования ячеистой структуры. Однако с увеличением скорости перекристаллизации от 2,5 до 3,5 м/с при охлаждении подложки до 77 К, было обнаружено, что выделение вторичной фазы существенно снижается (рис. 4.25, в). Действительно, большая доля атомов углерода занимает узлы замещения в кристаллической решетке кремния в результате захвата, о чем свидетельствует изменение формы отдельных пиков ИК-поглощения в полосе частот 607 см~^ (рис. 4.25, д). Образование углеродом узлов замещения также происходит при отжиге, обеспечивающем скорость перекристаллизации 2,5 м/с. Наивысшая концентрация атомов замещения углерода достигает ^2-1020 см-^, что превышает равновесное значение на 2,5 порядка [58]. Метастабильность таких твердых растворов обнаруживается при использовании последующего отжига в печи при 1000°С, в результате которого происходит твердофазное выделение примеси замещения (рис. 4.25, г). Однако выделения вторичной фазы р—SiC, образующиеся после лазерного отжига, должны были бы формироваться в то время, пока кремний еще расплавлен, поскольку растворимость углерода в жидком кремнии [59] составляет только /^4*10^® см-^ при температуре плавления. Выделение вторичной фазы из расплава подавляется ростом скорости перекристаллизации, так как интенсификация захвата снижает концентрацию примеси в расплаве и одновременно уменьшает длительность пребывания в расплавленном состоянии. Пример более необычного поведения примеси с низкой растворимостью иллюстрируется работой по лазерному отжигу кремния ^ ориентацией (100), имплантированного аргоном [52], из которой Взят рис. 4.26. Исходный образец был имплантирован Аг+ с дозой Ионов 2-10^^ см-2 при энергии 150 кэВ, в результате чего образовался слой с аморфной структурой. Тем не менее отжиг рубиновым 121
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 119 120 121 122 123 124 125... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
