Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 118 119 120 121 122 123 124... 423 424 425
|
|
|
|
чески предсказанным аналогам, особенно если учесть, что вычисления проводились аналитически, без всяких подгоночных парамет-ров Второй пример приложения теоретических соображений показан на рис. 4.24, где рассчитанный размер ячейки в системе индий — кремний представлен в зависимости от скорости перекристаллизации [16]. Три кривых на этом рисунке относятся к величинам эффективного коэффициента сегрегации, равным равновесному значению (/^0 — 4-10-^), т. е. значению, равному 0,15, которое соответствует постоянной скорости перекристаллизации 4 м/с, и в зависи Рис. 4.25. Просвечивающие электронные микрофотографии поперечных сечений поверхностного слоя кремния, имплантированного углеродом с дозой ионов 10^^ при энергии 40 КзВ [58]: а — сразу после имплантации; б — после лазерного отжига с плотностью энергии 2 Дж/см^ при комнатной температуре подложки; в —то же, при температуре подложки 77 К. ; г — после лазерного отжига при комнатной температуре и дополнительного отжига в печи при 1050''С в течение 30 мин (выделяется нижняя полоса вновь образованных частиц вт7-ричной фазы); 6 ^ спектр ИК-поглощения Л для случаев б (О а в (2); отмечается пиК углерода при 607 см-^ и SiC прн 812 см-^ 120
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 118 119 120 121 122 123 124... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
