Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 114 115 116 117 118 119 120... 423 424 425
|
|
|
|
ственно с величиной k\ Эта модель не предполагает смещения линии ликвидуса из равновесного положения, что вполне обосновано, если не требуется выделения зародьіпіей фазы кремния. Прогнозирование максимальных растворимостей примесей замещения согласно такой модели находится в хорошем соответствии с измеренными величинами при различных скоростях перекристаллизации (т. е. различных значениях k'). Кроме того, указанное уравнение приводится к оценкам Кана [45] при условии, что стремится к единице. 4.2.9. Концентрационное переохлаждение и выделение вторичных фаз Как отмечено выше в этой главе, существуют достаточно определенные пределы концентраций малорастворимых примесей, которые могут быть захвачены в узлах замещения решетки кремния при лазерном отжиге. В начале настоящего обсуждения важно отметить различие между теми примесями, которые проявляют достаточную растворимость в переходном проплавленном слое и теми, которые обнаруживают лишь слабую растворимость в жидком кремнии. Это характерное различие может приводить к существенно различному протеканию выделения вторичных фаз вследствие лазерного отжига. Наличие избыточно высоких концентраций имплантированных ионов примесей, которые проявляют существенную растворимость в расплавленном кремнии, может приводить к образованию очень характерных ячеистых картин микросегрегации при лазерном отжиге [51, 52]. Это явление относят к нестабильности границы раздела при перекристаллизации из-за концентрационного переохлаждения в расплаве при последующем затвердевании (12, 52]. Подобные структуры сегрегации могут быть получены при легировании поверхностей полупроводников из металлических пленок [53, 54]. Тип структуры, получаемой в ионно-имплантированном железом (Fe+) слое кремния (100), хорошо описан в работе по лазерному отжигу [52]. В данном случае исходный имплантированный слой имел аморфную структуру (рис. 4.21, а). Однако после отжига, выполненного рубиновым лазером при плотности энергии 2,2 Дж/см^, искаженная структура кремния трансформировалась в монокристаллическую с полосами сегрегированной примеси, оставшейся в матрице (рис. 4.21, б). Картина микросегрегации при этом была упорядоченной, что хорошо видно на снимке поверхности (рис. 4.21, в), на котором выявлена ячеистая структура островков монокристаллического кремния, окруженных стенками сегрегированной примеси. Средний размер ячейки составлял около 90 нм, а выделившаяся примесь (железо) образовала силицидную фазу, вступив в соединение с матрицей, которое идентифицировано при электронной дифракции как фаза РеЗіг (рис. 4.21, г, д) [52]. Точно такая же фаза образуется в решетке кремния при равновесных условиях обычного отжига в печи [55]. 116
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 114 115 116 117 118 119 120... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
