Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 111 112 113 114 115 116 117... 423 424 425
|
|
|
|
4.2.8. Процессы, ограничивающие растворимость примесей замещения Максимальные растворимости примесей замещения, которые могут быть достигнуты при лазерном отжиге кремния после его ионной имплантации, ограничиваются тремя процессами [15], Первый из них — искажение кристаллической решетки — ставит практический предел введению бора в кремний при обработке импульсным лазером. При образовании бором узлов замещения в решетке кремния при лазерном отжиге решетка подвергается одномерному сокращению в зоне имплантации, которое протекает в направлении, нормальном к поверхности [49], Сокращение обусловливается тем, что радиус действия ковалентной связи бора значительно меньше, чем у атома кремния, который замещается атомом бора. Сокращение происходит только в одном направлении по той причине, что имеет место притяжение приповерхностного слоя к нижележащим кристаллическим плоскостям. Величина сокращения пропорциональна локальной концентрации бора, и оно приводит к деформации в имплантированной зоне. Если при этом будет превышен предел прочности кремния, в зоне имплантации появятся трещины [15]. Для бора в кремнии трещины появляются при превышении концентрации ^4%. При меньшей концентрации трещины будут отсутствовать, но зона имплантации будет деформирована. Чтобы увеличить концентрацию атомов замещения бора при лазерном отжиге, необходимо одновременно вводить примесь, которая вызывает расширение кристаллической решетки кремния. Такой примесью может служить германий, олово, галлий или индий. Вторым процессом, ограничивающим растворимость примесей замещения при лазерном отжиге, является нестабильность границы раздела фаз, которая развивается при перекристаллизации и приводит к побочной сегрегации примеси, отражающейся от границы, и к формированию упорядоченных ячеистых структур в приповерхностном слое [12, 16, 17]. Данный процесс является доминирующим в случае введения таких примесей в кремний, как сурьма, галлий, индий и висмут, а примеры, его иллюстрирующие, приведены на рис. 4.17 и 4.18. Другие примеры будут рассмотрены в п. 4.2.9. Нестабильность границы раздела будет наблюдаться только тогда, когда коэффициент распределения меньше единицы и Когда высокая концентрация отражаемых от границы атомов примеси. В случае, когда эта концентрация низка, межфазная граница Остается стабильной при перекристаллизации и отражающиеся атомы примеси собираются в приповерхностной зоне (см. рис. 4.6). Нестабильность границы раздела приводит к образованию ячеек из-за концентрационного переохлаждения жидкой фазы на данной границе. Чтобы подавить появление нестабильности и ввести больше атомов замещения примеси в решетку, необходимо увеличить термический градиент в жидкой фазе, а это означает, что должна быть увеличена скорость перекристаллизации. Подтверж 113
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 111 112 113 114 115 116 117... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
