Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 423 424 425
|
|
|
|
измеренные значення СГ^^ близки к предельным значениям для захвата примесей, предсказанным на основе термодинамических соображений [45]. 4.2.7. Сравнение максимальных концентраций примеси в областях твердой и жидкой фаз Равновесные предельные значения растворимости могут быть значительно превышены при низкотемпературной эпитаксиальной перекристаллизации твердой фазы [39, 47, 48] (см. гл. 5). В табл. 4,3 приведены сравнительные данные по значениям Cf^^, достигаемым при жидкофазной и твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации и соответствуюндим равновесным значениям Со [48]. Такое сравнение показывает, что предельные растворимости примеси, которые могут быть достигнуты в двух видах перекристаллизации, различаются незначительно, хотя временные масштабы процессов отличаются на много порядков. При твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации внедрение примеси в решетку 4.3. Значения растворимостей в кремнии, полученные при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации {Cse"^^^) и импульсном лазерном отжиге (Csa^^^)y в сравнении с равновесными значениями С." Примесь As 9,0-1021 6,0-і102ї Sb 7,0-10^9 1,М02ї 2,0. іт In 8,0-dOi^ 5,0-101^ 1,5г 1020 происходит из-за ее захвата на движущейся границе раздела между аморфной и кристаллической фазами [39]. При температурах отжига ^550°С скорость указанной выше границы составляет только 10^^^ м/с, но длительность пребывания примеси на границе раздела очень большая, так как она обратно пропорциональна коэффициенту диффузии в твердой фазе, который очень мал. Вследствие этого даже в твердой фазе можно таким образом выбрать температурный диапазон, чтобы время пребывания примеси на границе раздела было больше, чем время перекристаллизации монослоя, и происходил захват. При более высоких температурах отжига, однако, будет протекать выпадение количества примеси, избыточного по отношению к пределу растворимости ее в равновесных условиях для данной температуры [48]. В условиях твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации избыток примеси над СГ/"^ будет выделяться случайным образом и не будет упорядоченных ячеистых структур в приповерхностном слое, характерных для импульсного лазерного отжига, 112
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
