Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 423 424 425
|
|
|
|
ет низкую растворимость в кремнии и, как показано в работе [29]). ее невозможно повысить при кристаллизации, если отсутствует отклонение от локального равновесия на границе раздела между фазами. Поэтому высокие СТ^"^ в сравнении с Cs убедительно свидетельствуют о неравновесном механизме процесса эпитаксиальной перекристаллизации расплава в условиях лазерного отжига. Важно отметить, что предельные растворимости примесей не зависят от того, каким образом их вводят в кристаллическую структуру кремния. В недавнем исследовании [44] показано, что предельные значения растворимости, близкие к тем, которые приведены в табл. 4.2, могут наблюдаться при лазерном облучении покрытия на кремнии, состоящего из чистой примеси. На рис, 4Л9 по-казана максимальная общая концентрация сурьмы и концентрация образованных ею атомов замещения, определенные после нанесения сурьмы на поверхность кремния с последующим облучением рубиновым лазером. Концентрация атомов замещения равна 1,03-10^^ см'^ и не зависит от толщины покрытия, нанесенного на кремний, и плотности энергии лазерного импульса. Она исключительно хорошо согласуется с данными табл. 4.2. Предельные концентрации также не зависят от того, лазерным или электронным лучом производился отжиг, и, по-видимому, должны определяться лишь скоростью кристаллизации и, возможно, кристаллографической ориентацией подложки. Как обсуждалось в п. 4.2,5, включение примеси в кристаллическую решетку с такими высокими концентрациями является результатом захвата атомов примеси в процессе затвердевания [41, 42, 45, 46], Это означает, что примеси могут захватываться в твердой фазе в том случае, если они не успевают достаточно быстро проходить границу раздела между жидкой и твердой фазами, с тем чтобы устанавливалось равновесие на этой границе. При быстром затвердевании новые слои атомов добавляются к поверхности кристалла с такой большой скоростью, что атомы примеси не успевают уйти из формирующейся 'твердой фазы. Важно отметить, что Рис. 4.19. Растворимость сурьмы (С) в зависимости от ее концентрации ЛГ, нанесенной на поверхность кремния перед лазерной обработкой с плотностью энергии 1Д (/), 1,45 (2) и 2 Дж/см2 (3): ^-^ общая концентрация сурьмы; Я — концентра-Дия атомов замещения (^ОЗ-Ю^^ см-^). 111
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
