Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 423 424 425
|
|
|
|
Сен -з 0,2 Ь,мт Рис. 4.18 Распределение концентрации ^^^In по глубине кремния с ориентацией 100 лосле имплантаций (энергия 125 кэВ, доза атомов 13-10^^ см"^) и лазерного отжига {а) и микроструктура полученного слоя {б, в) [15]: / — общая концентрация; 2 ^ концентрация атомов замещения Используя методику, подобную описанной выше, авторы работы [10] определили значения С?^^ для пяти элементов ПІ, V групп периодической системы элементов в кремнии с ориентацией (100 при скорости кристаллизации 4,5 м/с [10]. Эти значения приведены в табл. 4.2 в сравнении с соответствующими предельными раство-римостями в равновесных условиях (С^). У каждой из примесей величина Cf^^ превышает с\ (от четырехкратного превышения у иышъяка, до 500-к:ратного у висмута). Каждая из примесей име 4.2. Предельные растворимости в условиях равновесия (С/) и лазерного отжига (С^^^^) примесь с/, см^ * С^^^^^ см-з Примесь As Sb Вї 1,5-1021 7,0-10^9 8,0 6,0 1021 2,0 10^1 4,0 Ю^о Ga In 4,5-1019 8,0 1017 4,5-1020 1,5 w * По данным работы [28]. ПО
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
