Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 107 108 109 110 111 112 113... 423 424 425
|
|
|
|
построено в зависимости от глубины для общей концентрации и концентрации атомов замещения. Результаты, представленные на рис. 4.17, получены методами обратного резерфордовского рассеяния и ионного каналирования. До концентраций ^2-10^^ см-^ сурьма почти на 100% образует узлы замещения в решетке, но в приповерхностной зоне до глубин ^1300 А общая концентрация почти в 2 раза выше, чем концентрация атомов замещения, которая относительно неизменна и равна 2-10^^ см~^. Это значение является пределом концентрации замещения сурьмы в кремнии при данной скорости кристаллизации (4,5 м/с). В приповерхностной зоне, где общая концентрация примеси выше, чем концентрация атомов замещения, данное избыточное количество примеси размещается ио границам хорошо развитой ячеистой структуры. Для иллюстрации на рис. 4.18 показана концентрация индия в кремнии. На этом рисунке профиль обш^й концентрации примеси и концентрации атомов замещения пр^^^ед^ны вместе со снимками микроструктуры приповерхностного слоя. Из рисунка видно, что после лазерного отжига индий образует узлы замещения в кремнии, концентрация которых ограничена С'тах^ :^1,5'10^^ сш-^ при скорости кристаллизации 4,5 м/с. В приповерхностной зоне средствами просвечивающей электронной микроскопии выявляют эпитаксиальные столбики кремния со среднїШ диаметром -^450 А, выходящие на поверхность. Столбики окружены тонкими стенками ( — 50 А), достигающими глубины ^ 1200 А и содержащими чистый индий, который не образует узлов замещения в решетке кремния, а располагается в стенках ячеек приповерхностной структуры материала. Индий же, который образовал узлы замещения, захвачен этатаксиалъными столбиками кремнии, выходящими на поверхность. Образование ячеистой структуры у поверхности является^следствием нестабильности границы раздела жидкой и твердой фаз, возникающей в процессе кристаллизации в результате концентрационного переохлаждения на данной границе [12, 16]. Более детально это явление обсуждается в п. 4.2.9. Рис. 4.17. Распределение концентрации i2isb по глубине кремния с ориентацией 100 после имплантации (энергия 200 кэВ, доза атомов 4,5-1016 см-2) и лазерного отжига [43]: / общая концентрация; 2 ісонцентра-ция атомов замещения Ш9
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 107 108 109 110 111 112 113... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
