Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 103 104 105 106 107 108 109... 423 424 425
|
|
|
|
4.2.4. Влияние ориентации В диапазоне низких скоростей (1 м/с), который исследовался недостаточно интенсивно, также наблюдались интересные результаты. Критическая скорость для многих примесей лежит в этом диапазоне. Более того, в окрестности критического значения роль всех параметров, определяющих k\ становится более заметной. При высоких скоростях становится преобладающей роль быстрой кинетики процесса. Примером важности внешних параметров в диапазоне низких скоростей может служить влияние ориентации подложки. На рис. 4.14 представлены экспериментально полученные профили концентрации висмута после лазерной обработки рубиновым лазером с плотностью энергии 2 Дж/см^ и длительностью импульса 100 НС кремниевых подложек с кристаллографическими ориен-тациями (100) и 111 [14]. Скорость межфазной границы в обоих случаях была равна 1,7 м/с, но профили отличаются друг от друга весьма заметно, а значения составляют 0,1 и 0,2 для ориентации (100) и 111 соответственно. Аналогичное влияние ориентации исследовалось в диапазоне скоростей 0,8.,, 5 м/с. Результаты этого исследования приведены ЮОО 7000 3000 ьл 0,001 V, мс Рис. 4.14. Профили концентрации атомов висмута, имплантированного при энергии 250 кэВ в кремний, облученный импульсом рубинового лазера при длительности 100 НС и плотности энергии 2 Дж/см2. Кружки и треугольники относятся к общему и согласованному с ориентацией спектру обратного рассеяния соответственно [14]: ^--профиль концентрации сразу после имплантации; 2 — расчетный профиль для А'=0 2 и 0,1 соответственно для ориентации 111 (а) н 100 (б) кремния Рис. 4.15. Зависимость k' для висмута в кремнии от скорости движения границы раздела жидкой и твердой фаз с ориентацнями подложки {И]: ^-1U; 2-100 105
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 103 104 105 106 107 108 109... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
