Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 423 424 425
|
|
|
|
h^MKM определяется градиентом температуры в твердой фазе, а он не может быть произвольно большим. Для пикосекундных импульсов или при сильном поглощений излучения скорости движения границы раздела, которые могут быть достигнуты, ограничены диффузией свободных носителей, приводящей к перераспределению возбужденных электронов. Согласно данным работы [31], длина диффузии ограничена ОД мкм, что дает для предельной скорости значение 20 м/с при использовании пикосекундных импульсов. Чтобы в процессе затвердевания образовалась крнсталлнче-Рис. 4ЛЗ. Профили концентрации индия,ская структура, скорость границы имплантированного в поверхность Si раздела ЖИДКОЙ И ТВердОЙ фаз НЄ Se\Z%Z^^^^^превышать предельного 5-профиль при согласовании с ориен-значения, выше которого образу-тацией 100" импульсом второй гар-ЄТСЯ аморфный материал. Пере-моники неодимового лазера с длитель-ходы от кристаллической фазы к ^J^oJ^ocтъю энергии ^^дрф^^^^^ регистрировались для пикосекундных лазерных импульсов [35] и ультрафиолетовых импульсов длительностью 2 мс [36]. Однако зависимость скорости границы раздела от плотности энергии должна снижать скорость в том случае, если слегка превышен энергетический порог аморфного перехода. В связи с этим должен существовать узкий диапазон плотностей энергии, который может быть использован, чтобы обеспечить переход от кристаллической фазы к аморфной, даже при пикосекундных импульсах. При более высоких плотностях энергии будет протекать эпитаксиальная перекристаллизация. На рис. 4.13 приведены экспериментально полученные профили концентрации индия в кремнии с ориентацией (100), облученном единичным 25-пикосекундным импульсом второй гармоники неодимового лазера с плотностью энергии £1 Дж/см^. Кристаллический порядок в поверхностном слое кремния восстановился после облучения лазером, а атомы индия остались на тех же глубинах, что и при имплантации, располагаясь в узлах замещения. Профиль концентрации индия не отличается существенно от профилей, полученных при использовании более привычных наносекундных лазерных импульсов. Коэффициент составил для индия 0,3, и по данным рис. 4.11 можно сделать вывод о том, что скорость движения границы раздела твердой и жидкой фаз была около 6 м/с. ностью 25 НС и і Дж/см2 [37] 104
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
