Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 423 424 425
|
|
|
|
10 1 1 г, I г/ I 'І 1 1 Рис. 4.12. Экспериментальная зависимость коэффициента распределения висмута Ц) и индия (2) в кремнии в зависимости от скорости границы раздела жидкой и твердой фаз ИОНОВ 5-10^^ см-2) в кремнии Si н'^ (100) до и после обработки им/0^ пульсами рубинового лазера длительностью 15 НС и с плотностью энергии 1,0 Дж/см2 (рис. 4.10, а) и 1,8 Дж/см2 (рис. 4.10,6). Хотя окончательные профили и отличаются между собой, количества примеси, накопленной у поверхности (заштрихованная область) различаются слабо. Штриховыми линиями показаны профили, аппроксимированные численным методом в предположении ^'=0,6 для обоих случаев. Эта величина хорошо согласуется с оценкой, которую можно получить из данных рис, 4.3. Как следует из указанных результатов, величина существенно не изменяется в диапазоне скоростей 1 ...4 м/с. В том же самом диапазоне скоростей некоторые примеси приводят к зависимости k' от скорости границы раздела. На рис. 4.11 показано влияние изменения скорости границы раздела жидкость — твердая фаза путем изменения плотности энергии при фиксированной длительности импульса (на рисунке слева), либо изменения температуры подложки при фиксированных длительности импульса и плотности энергии (на рисунке справа). Эти данные получены при имплантации индия (энергия 150 кэВ) в кремний [32]. Для указанных данных важно отметить, что конечный профиль концентрации примеси и коэффициент k' определяются только скоростью кристаллизации, а не параметрами, варьируемыми для изменения этой скорости. На основе данных экспериментов можно ввести экспериментальные зависимости k' от скорости кристаллизации, как это показано на рис. 4.12 для висмута и индия [34]. Для висмута, в частности, отмечается насыщение величины к' вблизи значения, равного 0,3. Сравнение данных для висмута и индия показывает, что эти две примеси характеризуются двумя различными значениями t/кр (см. рис. 4.7). Для лучшего понимания явления требуется исследовать более широкий диапазон скоростей кристаллизации. 4.2.3. Отжиг с использованием пикосекундного лазера Верхний порог диапазона скоростей, который может быть подвергнут исследованию, ограничивается двумя физическими механизмами. Скорость движения границы жидкость — твердая фаза 103
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
