Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 423 424 425
|
|
|
|
большинстве экспериментальных работ, выполненных до настоящего времени, исследовался более узкий диапазон скоростей (1,.. ...5 м/с). В качестве примеров приведены рис, 4,10—4,12, на которых показаны профили концентрации примесей после лазерной обработки в различных условиях. На рис, 4.10 приведены профили концентраций имплантированной сурьмы Sb (энергия 40 кэВ, доза 10 as 10 as 10 os a) 2 ^\ I ; 1 гі МРГ 0 I-1 0,20,1 г) Ik АІ МРГ I—1 0,2 Ori Рис. 4.11. Экспериментально полученные профили концентрации индия, имплантированного при энергии 150 кэВ и дозе атомов 10^^ см-^ g поверхность Si (100), сразу после имплантации (І) и после облучения (2 — общий профиль, ^ — профиль, согласованный с ориентацией) рубиновым импульсным лазером с длительностью нъапулъсоъ 5 не (а—в) и 30 не {г—е) при плотности энергия 0,44 (а), 0,66 (б) и 0,86 {в) Дж/см^, а также варьируемой температуре подложки 77 (г), 300 {д) и 600 (е) К. Расчетные значения скоростей кристаллизации составляют 8 (а), 5,5 (б), 3,5 (в), 4,0 (г), 3,0 {д) и 2 [е) м/с. Степень накопления индия в поверхностном слое непрерывно увеличивается с уменьшением скорости {32]: — масштаб разрешения по глубине 102
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
