Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 99 100 101 102 103 104 105... 423 424 425
|
|
|
|
4.8, соответствуют среднему значению скорости во внешнем слое толщиной 1000 А на поверхности образца. Скорость, как полагалось до этого момента, должна определяться только теплопереносом при температуре плавления на границе раздела фаз. Однако необходимо учитывать некоторое переохлаждение на границе раздела, чтобы обеспечивалась движущая сила, требуемая для достижения конечной скорости затвердевания. Простые оценки переохлаждения для этих скоростей отсутствуют в литературе. В первом приближении можно положить, что переохлаждение пропорционально скорости кристаллизации [32] А7==Г,,~Г,^рг).(4.4) Такая поправка включалась в расчеты в предположении р== = 15 К/м/с. Учитывая влияние переохлаждения, можно привести уравнение (4.3) к виду (4.5) где с — удельная теплоемкость. Скорость теплоотвода должна при этом уравновесить скорость выделения скрытой теплоты и обеспечить необходимое переохлаждение. При этом соответствующая скорость затвердевания будет снижаться. Величина поправки будет увеличиваться с возрастанием скорости затвердевания. Штриховыми кривыми / на рис. 4.9 показаны расчетные скорости, полученные в предположении о зависимости температуры затвердевания от скорости. Принятые допущения о переохлаждении приводят к снижению зависимости скорости от глубины. Более того, во внешнем 2^ .J слое толщиной 1000 А скорости, рас^^'^^^^ считанные с учетом и без учета неw реохлаждения, почти совпадают благодаря конечной толщине проплавленного слоя. Скорость границы раздела жидкости с твердой фазой может принимать значения в диапазоне 0,1... ...20 м/с из-за изменения всех указанных выше параметров. Однако в Рис. 4.10. Экспериментально полученные профили концентрации сурьмы, имплантированной в поверхность Si (100) при энергии 4 кэВ и дозе атомов 5* 10*^ см-^ с облучением импульсом рубинового лазера длительностью 15 не при плотности энергии 1,0 (а) и 1,8 (б) Дж/см^. Штриховые линии соответствуют расчетным профилям при fe'=0,6 в обоих случаях: і — профиль после имплантации (Х'/г); 2 — профиль после лазерной обработки
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 99 100 101 102 103 104 105... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
