Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 97 98 99 100 101 102 103... 423 424 425
|
|
|
|
пульса. Увеличение обоих параметров приводит к росту объема зоны, в которой происходит выделение энергии. Для импульсов, энергия которых превышает пороговое значение, приводящее к плавлению всего аморфного слоя, величина ]/2Dt должна быть заменена выражением У^20х^, где Ts —длительность для начала плавления поверхности. Были выявлены следующие параметры, которые влияют на скорость кристаллизации. Длительность импульса. При |^2Dta~i энергия лазерного излучения сильно поглощается в приповерхностной зоне. В этом случае для плотности энергии, близкой к пороговому значению, градиент температуры в твердой фазе можно аппроксимировать вы ражением dT TjY^Dx, где —температура плавления. d X g Такая аппроксимация применима для импульсов рубинового лазера (т20 не), падающих на кристалл кремния с аморфным слоем. Коэффициент поглощения. Для коротких импульсов, когда l/2DT^a-i температурный градиент аппроксимируется выражением— . При сильном поглощении света эта величина ,dx ]sе является верхним пределом и ее нельзя заметно увеличить изменением других параметров. Такая аппроксимация пригодна в случае облучения наносекундными (или еще более короткими) импульсами рубинового лазера или второй гармоникой неодимового лазера поверхности кремния, в случае сильного поглощения коротких импульсов (т. е. K2Dta-i) длина диффузии свободных носителей определяет профиль тепловыделения [31]. Напротив, облучение почти прозрачного твердого тела (например, монокристалла кремния неодимовым лазером) может быть использовано, как метод снижения скорости движения границы жидкости с твердой фазой 132], поскольку снижается термический градиент в твердой фазе. Наконец, если плавление протекает на нагретой подложке, то процесс затвердевания будет довольно медленным. Плотность энергии. Если плотность энергии импульса превышает пороговое значение для отжига (/^пор), то приповерхностный слой остается расплавленным в течение времени Ts, большем чем т. Расчеты теплопередачи и измерения отражательной способности, выполненные в процессе о_^блучения [33], показали, что Xs^t? (£"—£пор)^ ^Изменение скорости при из dT и, таким образом, idx менении плотности энергии становится очень эффективным сразу за порогом отжига. Температура подложки. Исторически изменение температуры подложки было первым методом регулирования скорости кристаллизации [12]. Увеличение температуры подложки изменяет как коэффициент температуропроводности, так и максимальные значения температуры, что оказывает влияние на все температурное рас 4*99
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 97 98 99 100 101 102 103... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
