сторов типа IRFP250N. Расчет 
      радиатора можно вести для одного транзистора, а затем полученный размер 
      увеличить в 20 раз.
      Так как на ключевом транзисторе 
      рассеивается суммарная мощность 528 Вт, то на каждом транзисторе IRFP250N 
      рассеивается мощность 528/20 = 26,4 Вт. Радиатор должен 
      обеспечивать максимальную температуру кристалла транзистора не более 
      +110 °С при максимальной температуре окружающей среды +40 °С.
      Найдем тепловое сопротивление 
      RJA для одного транзистора 
      IRFP250N:
      
      Теперь найдем тепловое сопротивление 
      радиатора:
      
      Зная максимальную температуру 
      кристалла и тепловое сопротивление на участке кристалл-радиатор, определим 
      максимальную температуру радиатора:
      Ts=Tj- Рпп ■ (RJC +RCS) = ПО - 26,4 • (0,7 + 0.24) = 
      85 °С
      По графику (рис. 9.7) 
      определим поправочный коэффициент Кт на 
      разницу температуры радиатора и окружающей среды:
      TS-TA= 85-40 = 45 °С; 
      Кт 
      = 
      1,19.
      Для охлаждения радиатора 
      используется вентилятор типа 1,25ЭВ-2,8-6-3270У4, имеющий 
      производительность 280 м3/ч. Чтобы вычислить скорость потока, 
      нужно разделить производительность на сечение воздуховода, 
      продуваемого вентилятором.