сторов типа IRFP250N. Расчет
радиатора можно вести для одного транзистора, а затем полученный размер
увеличить в 20 раз.
Так как на ключевом транзисторе
рассеивается суммарная мощность 528 Вт, то на каждом транзисторе IRFP250N
рассеивается мощность 528/20 = 26,4 Вт. Радиатор должен
обеспечивать максимальную температуру кристалла транзистора не более
+110 °С при максимальной температуре окружающей среды +40 °С.
Найдем тепловое сопротивление
RJA для одного транзистора
IRFP250N:
Теперь найдем тепловое сопротивление
радиатора:
Зная максимальную температуру
кристалла и тепловое сопротивление на участке кристалл-радиатор, определим
максимальную температуру радиатора:
Ts=Tj- Рпп ■ (RJC +RCS) = ПО - 26,4 • (0,7 + 0.24) =
85 °С
По графику (рис. 9.7)
определим поправочный коэффициент Кт на
разницу температуры радиатора и окружающей среды:
TS-TA= 85-40 = 45 °С;
Кт
=
1,19.
Для охлаждения радиатора
используется вентилятор типа 1,25ЭВ-2,8-6-3270У4, имеющий
производительность 280 м3/ч. Чтобы вычислить скорость потока,
нужно разделить производительность на сечение воздуховода,
продуваемого вентилятором.