Кроме этого приводятся графики,
позволяющие приблизительно учесть поправку на реальные условия
работы, которые, скорее всего, отличаются от указанных по умолчанию.
В справочных данных на транзистор IRG4PC50U указаны суммарные
потери:
ETS < 1,9
мДж (Г, = 25 °С, 1с
=
27 A, Vcc = 480 В, VGE= 15
В,/?с = 5 0м).
Согласно поправкам в текущем
режиме коммутации (Tj
< 140 °С, 1с
=
46,7 A, Vcc = 310 В, VGE
= 12 В, RG = 5,1 Ом) потери не превысят 3
мДж.
Определим коммутационные
потери на частоте 30000 кГц:
Рутком = ETS F
= 3-10"3 • 30000 = 90 Вт. Определим суммарные
потери:
Рс = Рут,Р + Pvt,om =30 + 90 = 120 Вт.
Общее тепловое сопротивление
на участке кристалл-радиатор не более 0,88 °С/Вт.
Внимание. Схема
термозащиты сварочного источника не допускает повышение температуры
радиатора более 85°С.
При этом температура кристалла
может повыситься до температуры
Рщмах =
120 • 0,88 + 85 = 190
°С,
что на 40 °С превышает
максимально допустимое значение. Из расчетов видно, что коммутационные
потери во много раз превышают потери проводимости.
Для снижения коммутационных
потерь можно использовать демпферирующие RCD-цепочки. Основной
задачей
