8.6. Расчет мощности потерь на
транзисторах преобразователя
Мы предварительно выбрали
транзисторы IRG4PC50U. Теперь необходимо убедиться, что эти транзисторы на
самом деле можно использовать в преобразователе сварочного источника. На
сайте компании производителя [1] можно найти все данные
транзистора, необходимые для расчета.
Перечислим основные параметры
транзистора IRG4PC50U:
♦ максимальное рабочее напряжение VCes
= 600 В;
♦ максимальный импульсный ток коллектора 1см
=
220 А;
♦ максимальный средний ток для температуры
кристалла 100 °С 1с
= 27 А;
♦ максимальная температура кристалла 7) = 150
°С;
♦ тепловое сопротивление кристалл-корпус
R9JC = 0,64 °С/Вт;
♦ тепловое сопротивление корпус-радиатор
RQCS = 0,24 °С/Вт;
♦ максимальное напряжение коллектор-эмиттер в
открытом состоянии при токе 55 A,
VCF^ON> = 2 В;
♦ время нарастания тока коллектора
tr = 20 не;
♦ время спада тока коллектора не более /у = 130
не.
Для транзистора рекомендуется
частотный диапазон 8 — 40 кГц в режиме жесткой коммутации и до 200 кГц в
резонансном режиме.
Как уже говорилось ранее, потери
мощности на транзисторе складываются из потерь проводимости
(статические потери) и потерь коммутации (динамические потери)
[24]:
Рс - РуТ.пр
+ РуТ.ком-
У IGBT потери проводимости
имеют практически линейную зависимость от тока коллектора 1с:
Р = I V
1 УТ.пр С
у CE(ON)-
