токе 315 А [шунт R25 (рис. 7.9) на 500 А, 75 мВ] на выходе
DA1 будет напряжение 1,2 В.
Для настройки УКН на клеммы Х6,
Х7 необходимо подать напряжение 40 В (плюсом к Х7) и с помощью резистора
R6 выставить на выходе DA2 напряжение 1,2 В. С помощью резистора R9
выставить частоту релаксационного генератора на транзисторе VT1 равной 25
кГц.
Предварительная настройка блока
A3 сводится к настройке порогов токовой и температурной защиты. Для
настройки токовой защиты можно временно отрезать верхний вывод R33 от
клеммы Х5 и подключить к XI, а между клеммами Х4 и Х6 включить
подстроечный резистор величиной 2 кОм.
Вращая навесной подстроечный
резистор, добиться между клеммами Х4 и Х6 напряжения 2,97 В, что
соответствует прямому падению напряжения на ключевом транзисторе при
токе 350 А и температуре кристалла 125 °С. С помощью подстроеч-ного
резистора добиться низкого уровня на выходе формирователя DD1.1,
DD1.2.
Для настройки термозащиты
термодатчик VT1 необходимо поместить в термостат. Вполне подходящий
для данного применения термостат можно соорудить из литровой банки с
водой. Снаружи банку для термоизоляции можно обмотать
полотенцем.
Воду подогревают кипятильником,
а остужают, добавляя холодную воду.Температуру воды контролируют
стеклянным термометром, имеющим шкалу 0—100 °С. Для гидроизоляции
термодатчик можно поместить в середину ПВХ-трубки диаметром 8—10 мм и
длиной 400—500 мм, которую потом изгибают вдвое.
С помощью подстроечного
резистора R13 добиться, чтобы светодиод HL2 (рис. 7.9) загорался при повышении
температуры выше 80 °С. Окончательную настройку ЭРСТ производят, нагрузив
его на балластный реостат РБ302 или аналогичный.
