открытого состояния транзистора
VT5, VT6 увеличивается, а ; при увеличении — наоборот.
В цепь коллектора мощного
транзистора VT6 включен шунт R18, падение напряжения на котором
контролируется узлом, собранном на элементах VT4, R17. Коллектор
транзистора VT4 через делитель напряжения R23, R24, VD8 под- ■ ключей
входу S триггера цикла DDI.2.
Если ток в коллекторе
транзистора VT6 превысит значение в 6—7 А, то транзистор VT4 откроется и
путем подачи высо-: кого уровня на вход S триггера цикла вынудит схему
управления закрыть транзистор VT6. Так осуществляется защита i стабилизатора от
перегрузки по току.
Если по какой-либо причине
напряжение стабилизатора i возрастет выше напряжения
стабилизации стабилитрона VD2 ; (42,5—51,5 В), то тиристор VS1 откроется.
Это приведет к i выгоранию предохранителя FU1 и
отключению стабилизатора от питающего напряжения. Так осуществляется
защита нагрузки стабилизатора от повышения его выходного
напряжения.
Полумостовой преобразователь
собран на элементах; VT10—VT13, VD18, VD19, С7—С9, R34—R41. Запускающие
импульсы частотой 25 кГц с транзистора VT3 поступают на вход счетный вход
«С» триггера DD1.1, с выхода которого снимаются противофазные сигналы
управления полумостовым преобразователем Т и /Т, имеющие частоту
следования 12,5 кГц. В момент включения узел на элементах VT7, VD4, i R26—R28 блокирует работу полумостового
преобразователя, : пока напряжение питания схемы управления не достигнет
11—13 В.
Переменное напряжение частотой
12,5 кГц с выхода преобразователя поступает на первичную обмотку
трансформатора ; Т1. Со вторичных обмоток III и IV трансформатора Т1
снимаются напряжения, необходимые для питания схемы управле-ния ЭРСТ.
Постоянное напряжение +270 В, необходимое для
