7.3. Описание ЭРСТ
Основные варианты защиты
ЭРСТ (рис. 7.9) оборудован
защитами:
♦ от подключения в неправильной
полярности;
♦ от повышения или понижения питающего
напряжения;
♦ от максимального тока и от
перегрева.
Указанный набор защит
гарантирует надежную работу ЭРСТ в производственных и бытовых
условиях.
Ключевой транзистор VT1—VT20
понижающего преобразователя собран из 20-ти параллельно включенных
MOSFET-транзисторов IRFP250. MOSFET-транзисторы
характеризуются:
♦ высоким быстродействием;
♦ малой мощностью управления;
♦ положительным ТКС проводящего канала. Последнее
обстоятельство особенно важно, так как решает
проблему выравнивания токов
между параллельно включенными транзисторами.
Диод VD9—VD48 состоит из 40
параллельно включенных диодов КД213Б. Сглаживающий фильтр ЭРСТ
состоит из дросселя L2. Диоды КД213Б обладают большим временем обратного
восстановления. Поэтому для устранения сквозных токов, возникающих при
открытии ключевого транзистора VT1—VT20, служит двухобмоточный дроссель
L1.
При запирании диода VD9—VD48
излишки энергии, накопленные в дросселе L1, возвращаются в источник
питания (конденсаторы фильтра CI, С2). Возврат энергии (рекуперация)
возможен благодаря наличию у дросселя L1 обмотки II, последовательно с
которой включен коммутирующий диод VD8.
