менее 32 диодов. Учитывая
неравномерное распределение тока между диодами, используем 40 диодов
КД213Б.
Совет. Диоды необходимо
подбирать с близким значением прямого напряжения в проводящем
состоянии.
Диод нагружен максимально при
минимальном заполнении импульса. Подобный режим возникает в режиме
короткого замыкания (КЗ) на выходе источника. В этом случае через диод
протекает практически весь выходной ток ЭРСТ. При этом через каждый диод
будет протекать ток около 1пр
= 315/40 = 8 А.
В отличие от MOSFET, прямое
падение напряжения диода имеет отрицательную температурную зависимость, т.
е. уменьшается с ростом температуры. Предполагается, что в готовой
конструкции температура корпуса диода Тк не превысит 85 °С. При
такой температуре кристалла и токе 8 А прямое напряжение на диоде
КД213Б составит Unp = 1 В [15]. Определим максимальную
мощность, рассеиваемую на диоде:
pd
=/я-Unp
=3151 = 315
Вт.
Расчет охладителей, с
использованием полученных данных, будет произведен далее, в разделе
9.4.
