Максимальное рабочее напряжение
транзистора должно превышать 160 В, так как во время работы
преобразователя к нему прикладывается удвоенное напряжение питания (рис.
7.8).
Поставленным условиям
удовлетворяет MOSFET-тран-зистор, имеющий сопротивление
канала7?М1 = 0,00414 Ом и максимальное напряжение между
стоком и истоком VDSs > 160 В. Выбираем широко
распространенный и достаточно дешевый транзистор IRFP250N производства
компании international Rectifier» [1], который имеет VDSS
= 200 В и сопротивление канала RDS(on) ~
0,075 Ом.
Чтобы получить требуемое
сопротивление канала, надо соединить параллельно не менее
RDS(on)/Rm = 0,075/0,00414= = 18 транзисторов.
Используем 20 транзисторов IRFP250N. При этом сопротивление канала
RM результирующего транзистора будет равно 0,075/20
= 0,00375 Ом в холодном состоянии и 0,0075 Ом в горячем (для
температуры кристалла 7} = 110 °С).
Чем больше заполнение импульса,
тем дольше через транзистор протекает ток, тем большая мощность на
нем рассеивается. Максимальное заполнение импульса будет при
минимальном входном напряжении питания ЭРСТ:
л _
U л
_20 + /я-0,04_ 32,6 ии.ит-г\ иимт-х\ 50
0,92
где UMMIN—
минимальное напряжение питания ЭРСТ.
Максимальную мощность,
рассеиваемую на результирующем транзисторе, можно определить по
формуле
Рм = DMAX I2HRM=
0,709 • 3152 • 0,0075 = 528 Вт.
Для изготовления мощного диода
выбираем доступный, дешевый и быстрый диод КД213Б, выдерживающий
максимальное обратное напряжение Uo6p = 200 В и
максимальный прямой средний ток 1пр
= 10 А. Так как номинальный ток источника 315 А, то
необходимо включить параллельно не
