где Рп —
мощность потерь, Вт;
TTT = 1и-ии
— мощность, потребляемая от источника, Вт;
1и — ток в индуктивности
Lt, А;
Rm —
сопротивление открытого транзистора Ml, Ом;
Rm —
сопротивление открытого диода D1, Ом;
RH —
сопротивление нагрузки, Ом.
Если считать, что
Rm = RDl = R, то предыдущее выражение
можно существенно упростить:
RH-R г\ = —--.
Сопротивление дуги для
номинального тока нагрузки 1н
=
315 А:
я„ . Rl. £i . 20iicM . ™ 0.Q4 . 0Д035 OM
1н 1н 315
Рассчитаем сопротивление
открытого канала ключевого транзистора:
R = RH ■ (1 - ц) = 0,1035 • (1 -
0,92) = 0,00828 Ом.
Сопротивление канала MOSFET
имеет положительную температурную зависимость. Можно считать, что при
прогреве кристалла транзистора сопротивление его канала
удваивается. Следовательно, в холодном состоянии транзистор должен
иметь вдвое меньшее сопротивление канала RM1 = 0,00414
Ом.
