Повышение эффективности лазерной обработки материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 16 17 18 19 20 21 22 23 24
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
«ого пучка
лазерного излучения. Такой возврат может осуществляться простыми
световозвращателями, устанавливаемыми на пути отраженного
пучка.
На рис. 9
приведена схема устройства, в котором обработка материала ведется пучком
поляризованного излучения, падающего нормально к поверхности
материала. |
|
|
|
|
|
Эта схема
была предложена для защиты оптики излучателя лазера от отраженного
излучения [11]. Ее можно использовать для возврата зеркально
отраженного излучения в зону обработки.
Работа
устройства заключается в следующем. Излучение лазера 1 Р-поляри-зации (относительно
светоделительной грани поляризатора 2) проходит поляризатор и
четвертьволновой пластинкой 3
преобразуется в излучение с круговой поляризацией. Это
излучение фокусируется объективом 4 на поверхности объекта
обработки 5. Отраженное в
апертуру фокусирующего объектива излучение круговой поляризации
пластинкой преобразуется в излучение S-поляриза-цни, которое отражается
светоделительной гранью поляризатора и не проходит в направлении
лазера. Излучение, ответвленное поляризатором, может быть
обратно возвращено в зону обработки. Представленная схема
обеспечивает однократный возврат непрерывного и импульсного
излучений и многократный возврат коротких (т<10_8с)
импульсов лазерного излучения.
Для
многократного возврата коротких импульсов четвертьволновая пластинка
выполняется в виде модулятора поляризации. |
|
|
|
Для
возврата в зону обработки диф-
|
|
|
|
|
|
фузно
отраженного излучения может быть использована зеркальная полусфера. Схема
устройства для лазерной обработки с применением такой полусферы
пред |
Рис. 9. Схема устройства
для лазерной обработки с поляризационной развязкой лазерного
излучения |
|
|
ставлена на
рис. 10. Излучение лазера / объективом 2 фокусируется через отверстие
-в полусфере 3 на
поверхность объекта обработки 4, установленного так, что центр
его зоны обработки совпадает с центром полусферы. 'Излучение, диффузно
отраженное поверхностью объекта обработки, многократно возвращается в
зону обработки. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|