Новые интеллектуальные материалы и конструкции. Свойства и применение
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 148 149 150 151 152 153 154... 220 221 222
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7.3. Приведение в
действие |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 7.5. Зависимость смещения от величины создаваемой силы для
преобразователей на основе ТЦС и Терфенола-Д одинакового размера
[24]. |
|
|
|
|
|
7.3. Приведение в действие
Терфенол-Д является наиболее
мощным материалом, развивающим высокую деформацию и силу в широком
диапазоне рабочих частот при быстродействии порядка микросекунды. В
настоящее время магнито-стрикционные материалы занимают приблизительно 10%
рынка активных материалов. Свойства магнитострикционных приводов в
последние годы были значительно улучшены благодаря появлению материалов на
основе редкоземельных элементов. Потенциал этих материалов можно
использовать в различных приложениях.
7.3.1. Универсальные
преобразователи
Рабочие характеристики
Терфенола-Д должны соответствовать требованиям, предъявляемым к
устройствам, в которых его планируют применять. Как указывалось выше,
проблемы могут быть связаны с гистерезисным поведением этого
материала, особенно при высоких статических и динамических нагрузках.
В идеале, устройство нужно конструировать так, чтобы он создавал
максимальную деформацию при минимальном потреблении электроэнергии.
Для этого необходимо создавать постоянное магнитное поле, смещающее
рабочую точку. Смещение позволяет работать в области линейной связи
деформации и поля, а также получать максимальную величину постоянной d3y Это поле
обычно создается постоянными магнитами. В результате уменьшается
величина гистерезиса и потребление энергии. Рабочее магнитное поле
создается управляющей катушкой, расположенной вблизи активного компонента.
Кроме того, к активному материалу необходимо прикладывать смещающее
механическое напряжение, при котором достигаются оптимальные
магнитострикционные характеристики (рис. 7.6). |
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 148 149 150 151 152 153 154... 220 221 222
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |