Глава 1. Понятые интеллектуальных
технологий
В этой же главе описаны свойства
таких сплавов и способы их использования в интеллектуальных
структурах. Приведены примеры применения сплавов для контроля
дефектности конструкций.
Глава 6.
Пьезоэлектрики
Природные пьезоэлектрические
кристаллы (такие как диоксид кремния) известны уже более ста лет. Они
имеют большую жесткость и могуч использоваться при высоких рабочих
частотах. Благодаря прямому пьезоэлектрическому эффекту они успешно
применяются в качестве тензодатчиков.
Позже появились искусственные
керамические пьезоэлектрики; их используют как механические
преобразователи. При этом обычно применяется обратный
пьезоэлектрический эффект, состоящий в изменении размеров при
приложении электрического поля. Возникающая в таких керамиках сила очень
велика, а характерное время реагирования мало. Их недостатком является
малая величина смещения.
В этой главе описаны основы
пьезоэлектрического эффекта и даны примеры действия пьезопреобразователей
различной формы. Обсуждаются методы увеличения деформации в целях
использования пьезо-электриков в обычных устройствах. Описаны примеры
применения пье-зоэлектриков в интеллектуальных устройствах.
Глава 7.
Магнитострикция
Интерес к магнитострикционным
материалам появился сразу после открытия эффекта магнитоупругости -
изменения формы и размеров тела при намагничивании - в редкоземельных
элементах тербии (ТЪ), самарии (Sm) и диспрозии (Dy). Сначала их
недостатком считалась малая величина эффекта. Интерес к ним усилился после
открытия компаунда, известного как терфенол и обладающего сильным
магнитострикционным эффектом. Этот компаунд обладает огромным
потенциалом использования в различных изделиях.
В этой главе приведены примеры
использования материалов с сильным магнитострикционным эффектом и
описаны особенности таких устройств. В частности, обсуждается
использование этих материалов в активных интеллектуальных структурах. В
заключении описаны тонкие магнитострикционные пленки.
Глава 8. Гидравлические
интеллектуальные устройства
Интеллектуальные структуры
реагируют на внешнее воздействие благодаря способности изменять свое
движение «по команде» электрического сигнала, не меняя при этом
конфигурацию аппаратуры. Аналогично источникам электрического напряжения,
величина которого зависит от продолжительности импульса на входе, умный
механизм должен вызывать появление сил, скоростей и (что наиболее
важно) смещений. Необходимость получения больших ускорений и
смещений, сопровождаемых значительным выделением тепла, ограничивает
возможности интеллектуальных материалов.