Теория сварочных процессов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 61 62 63 64 65 66 67... 558 559 560
|
|
|
|
Формула (2.60) показывает, что начальные скорости термоэлектронов невелики. Например, для температуры катода Г=3000 К, что соответствует температуре кипения железа, w — = 2^7-"0,50 эВ. Влияние уск.оряюш,его поля. Эффект Шоттки. В практических условиях на поверхности электрода-эмиттера всегда существует поле, тормозящее или ускоряющее электроны. Если, например, анодное напряжение Ua положительно, но не очень велико, то вблизи катода накапливается отрицательный пространственный заряд. Его поле тормозит электроны и часть их возвращается обратно на катод. Распределение потенциала приобретает вид, показанный на рис. 2.23, а для вакуумного диода. Потенциальный барьер продолжает подниматься вне металла еще на высоту MJ сверх нормальной высоты барьера {Wa)^e={f^ обусловленной физическими свойствами эмиттера. При увеличении Ua анодный ток растет, значение Д(7 уменьшается, поле на катоде делается ускоряющим (рис. 2.23, б). Однако с увеличением Ua ток продолжает расти и дальше. Это происходит в связи с уменьшением работы выхода. На рнс. 2.24 кривая а. асимптотически приближающаяся к уровню АА, показывает изменение потенциальной энергии электрона в отсутствие внешнего поля, т. е. обычный потенциальный барьер металла. Линия b характеризует изменение энергии во внешнем ускоряющем однородном поле. Когда накладываются оба поля, форма потенциального барьера изобразится кривой с, представляющей собой сумму кривых а и Ь. На кривой с имеется широкий максимум — "потенциальный холм", вершина которого лежит ниже линии АЛ. На том же рисунке слева показано распределение энергии движения Wx по направлению, нормальному к поверхности, для электронов, попадающих изнутри на границу металла. При отсутствии внешнего электрического поля количество электронов, преодолевающих потенциальный барьер, выражается частью площади под кривой распределения, лежащей выше Рис. 2 23. Распределение потенциала в плоском вакуумном диоде: а — при небольших напряжениях и минимуме вблизн катода, 6 — при больших напряжениях в режиме насыщения 64
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 61 62 63 64 65 66 67... 558 559 560
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
