Теория сварочных процессов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 435 436 437 438 439 440 441... 558 559 560
|
|
|
|
Вероятность w, определяющая общую скорость образования зародышей (число центров кристаллизации п], равна произведению вероятностей составляющих процессов а; = ш,Ш2 = Л1зе"'^'" + '''^'*'^'' (12 12) В формулах (12.10)...(12.12) Ми Мг, Мз — постоянные коэффициенты, зависящие от свойств материала. После подстановки значения AFk в выражение (12.12) получим зависимость числа центров кристаллизации п от температуры: n^w=M,e.p{--±^[u+^na{^y]}. (12.13) Таким образом, под влиянием двух противоположных тенденций при изменении температуры складываются оптимальные условия, при которых скорость образования зародышей кристаллизации максимальна (рис. 12.4). ГЕТЕРОГЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ И СКОРОСТЬ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Рис 12 4 Влияние степени переохлаждения на условия образования зародышей Поверхность раздела между образующейся твердой и исчезающей жидкой фазами создает энергетический барьер при гомогенном возникновении зародышей, для преодоления которого необходима флуктуация энергии, равная AF^ Поэтому энергетически более выгодно возникновение зародышей твердой фазы в кристаллизующейся жидкости преимущественно на готовых межфазных поверхностях. Такими поверхностями при гетерогенной кристаллизации могут быть поверхности твердых частиц, всегда существующие в технических расплавах. Наилучшие очаги гетерогенной кристаллизации — частицы или поверхности того же металла, что и расплав, например зерна основного металла, ограничивающие жидкую сварочную ваину. Оплавленные зерна основного металла становятся зародышевыми центрами кристаллизации, на которых, как на своеобразной подкладке, начинают расти первичные кристаллы шва (рис. 12.5). Растут кристаллы нормально к поверхности охлаждения в глубь жидкого металла ванны, в направлении, обратном отводу теплоты. При наличии готовых межфазных поверхностей увеличивается вероятность гетерофазных флуктуации. Это приводит к появлению плоских зародышей кристаллитов на межфазной поверхности. Энергетические условия образования плоских зародышей отличаются от условий возникновения трехмерных зародышей, 438
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 435 436 437 438 439 440 441... 558 559 560
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
