Теория сварочных процессов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 31 32 33 34 35 36 37... 558 559 560
|
|
|
|
стояний и составляет десятки (а при низких температурах даже сотни) нанометров, что объяснимо только с учетом волновых свойств электрона. ПРОВОДНИКИ Из формул (2.3) и (2.6) видно, что электрическая проводимость прямо пропорциональна числу свободных электронов п, пробегу X и обратно пропорциональна скорости v, которые могут меняться от вещества к веществу. Пробег электрона ограничен тепловыми колебаниями атомов и наличием у кристалла различного рода дефектов Рост температуры металла ведет к увеличению тепловой скорости электрона, а увеличение амплитуды колебаний ионов в узлах решетки уменьшает пробег Я электрона, поэтому у металлов с увеличением температуры и пластической деформации проводимость уменьшается. Число заряженных частиц в металле не зависит от силы тока, поэтому проводимость (и сопротивление) металла при данной температуре постоянна. Закон Ома и падение потенциала имеют линейную форму. ПОЛУПРОВОДНИКИ в полупроводниках при повышении температуры электроны могут переходить из нижней зоны (валентной) через зазор в верхнюю зону (проводимости). Таким образом, полупроводники, в отличие от металлов, при высоких температурах резко увеличивают проводимость, а при низких — приближаются к изоляторам. Перенос зарядов может быть электронным и дырочным. Введение примесей в полупроводники может уменьшить зазор до 0,05 эВ. Это происходит, например, при добавках в кристаллы четырехвалентных кремния или германия, пятивалентных мышьяка или сурьмы, которые являются "донорами" свободных электронов, обеспечивающих электронную негативную /г-прово-димость. Наоборот, с добавкой "акцепторов" — трехвалентных индия или галлия — полупроводник приобретает дырочную, позитивную р-проводи-мость. Знак носителей тока и их относительное число в твердом теле можно обнаружить с помощью эффекта Холла. Если вдоль пластинки, помещенной 'го^з°ГГрдом"%"^е поперек магнитных силовых линий В магнитным полем (эффект (рис. 2.4), идет ТОК /, ТО на заряжен-Холла)ную частицу е, движущуюся со ско 34
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 31 32 33 34 35 36 37... 558 559 560
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
