Теория сварочных процессов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 305 306 307 308 309 310 311... 558 559 560
|
|
|
|
металла будет протекать в диффузионном режиме. Сплошность такого слоя теоретически может быть оценена по правилу Пил-^линга — Бэдворса, которое исходит из /Jсравнения объема полученного оксида и объема израсходованного на реакцию металла: объем израсходованного металла ОМе= Рис. 8.22. Различные законы роста толщины пленок: / — логарифмический; 2 — параболический, S — линейный где Лме — атомная масса; р — плотность металла; объем полученного оксида металла У Me,о. еМе. О, молекулярная масса оксида; Рме,о. — плотность ок где Af„,^o, сида. Отсюда фактор сплошности будет а = ИМе.О, (8.118) При значении а = 1,2...1,6 получаются так называемые защитные пленки, пассивирующие металл. Учитывая отклонения состава многих оксидов металлов от стехиометрического, а следовательно, колебания их молекулярной массы и плотности, можно считать критерий а лишь оценочным, но тем не менее отображающим действительные условия сплошности. Рост толщины пленки всегда начинается в кинетическом режиме, т. е. лимитируется кинетикой химической реакции (логарифмический закон), но затем, после создания сплошной пленки, ее рост или практически прекращается из-за малых коэффициентов диффузии, или продолжается в результате диффузионных процессов. Диффузия определяется или постоянством градиента (линейный закон роста пленки), или условием 6gradC = const (параболический закон роста). Различные законы роста пленки показаны на рис. 8.22. Для одного и того же металла в зависимости от температуры процесса закон роста пленки может изменяться, как, например, у Ti, который при низких температурах до 600 К пассивен, а при высоких быстро окисляется по параболическому или даже линейному закону (Г1100 К). 308
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 305 306 307 308 309 310 311... 558 559 560
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
