Теория сварочных процессов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 558 559 560
|
|
|
|
Ищчение Рис. 3.7. Схема газового лазера на углекислом газе с поперечной прокачкой j. излучение Рис. 3.8. Схема полупроводникового лазера свыше 80...100 мм ие дает эффекта, так как при большом диаметре ухудшается теплопередача из внутренней области трубки к ее периферийной части. Излучение с длиной волны 10,6 мкм выводится через окно из материала, пропускающего инфракрасные лучи. Для этой цели используются кристаллы КВг, NaCl или Ge. Для лазера данной схемы с продольной прокачкой с 1 м длины резонатора можно снимать мощность не более 50 Вт, из-за чего приходится значительно увеличивать длину трубы резонатора. Наиболее эффективны лазеры на углекислом газе с поперечной относительно линии электрического тока продувкой газа. Схема такого лазера мощностью до 10 кВт приведена на рис. 3.7. Эта разновидность газового лазера использует интенсивную прокачку газа через резонатор 3 с охлаждением его в теплообменнике 4. Электрический разряд возбуждается между анодной плитой 2 и секционированным катодом /. В качестве рабочего газа используют смесь СО2 -\N2 + -(-Не в соотношении 1:20:20 при статическом давлении в разрядной камере 5...8 кПа. Расход газовой смеси через разрядную камеру составляет 2...3 у?/ч, для чего используется мощная насосная система. В лазере этого типа можно получить съем мощности до 16 Вт с 1 см^ газа при к.п.д. до 17%. Электроразрядные лазеры с поперечной прокачкой газа работают в непрерывном режиме генерации и развивают мощность до 50 кВт. Полупроводниковый лазер генерирует когерентное излучение в результате процессов, происходящих в р-л-переходе на полупроводниковом материале. На рис. 3.8 показана схема полупроводникового лазера на арсениде галлия. Кристалл имеет размеры около 0,5...1,0 мм^. Верхняя его часть 2 представляет собой полупроводник р-типа, нижняя / — п-типа, между ними имеется р-л-переход 4 толщиной около 0,1 мкм. Излучающий слой имеет несколько большую толщину (1... 2 мкм) вследствие проникновения электронов и дырок в глубь 123
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 558 559 560
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
