Променеві методи обробки: Навч. посібник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 78 79 80 81 82 83 84... 164 165 166
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В.С. Черненко, М.В. КІндрачук, 0.1. Дудка. Променеві
методи обробки |
|
|
|
|
|
|
Для моноімпульсного режиму
роботи лазера глибина зони нагріву визначається перш за все енергією
£імпуль-су. Так, для сталі У10 при тривалості імпульсу 1,5 мс
і фокусній відстані фокусуючої лінзи 13,9 мм
залежність (рис.7.1) виявилася лінійною. Для інших значень
параметрів лазерного нагрівання вона |
|
|
|
|
|
Рис. 7.1. Глибина И зони
нагріву в залежності від енергії імпульсу Е |
може не бути лінійною, але
загальний характер монотонно |
|
|
|
|
|
го зростання глибини зони
нагріву зі збільшенням енергії імпульсу зберігається.
Одиничні імпульси лазерного
випромінювання не дозволяють зміцнювати значні ділянки поверхні деталей
машин, інструменту тощо. У зв'язку з цим були запропоновані схеми
контурно-променевого лазерного зміцнення - як лінійного, так і
площинного.
При послідовній дії серії
імпульсів лазера на поверхню матеріалу зберігається зазначена вище
закономірність: глибина зони нагріву зростає зі збільшенням енергії та
питомої потужності випромінювання.
Але при контурно-променевому
лазерному зміцненні головне завдання полягає у виборі оптимального
коефіцієнта перекриття плям нагрівання, створюваних на оброблюваній
поверхні послідовними імпульсами.
Лінійна схема
контурно-променевого зміцнення. У цьому випадку створюється
один ряд зон нагрівання (рис.7.2), які перекривають одна одну та
зміщені уздовж осі переміщення на величину кроку обробки.
Структура та властивості
обробленої у такий спосіб поверхні багато в чому залежать від ступеня
(коефіцієнта) перекриття зони нагріву: |
|
|
|
|
|
К=5/й, (7.1)
де Б — діаметр
зони обробки, 5— крок обробки.
Мікроструктура зони нагріву в
поздовжньому перерізі (рис.7.2,6) має "лускувату" будову.
Пояснюється це тим, що при кожному наступному лазерному імпульсі частина
попередньої зони нагріву піддається новому нагріванню.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 78 79 80 81 82 83 84... 164 165 166
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|