Безгистерезисная кривая
намагничивания. Форма основной кривой намагничивания обусловлена
существованием доменной структуры и механизмом намагничивания (см.
раздел 6.4.2). Для достижения намагниченности насыщения необходима
затрата энергии источника намагничивающего поля, преодолевающего силы
внутреннего трения, противодействующие намагничиванию.
При построении безгистерезисной
кривой энергию, требующуюся для преодоления сил трения, подают от
дополнительного источника. Каждая точка безгистерезисной кривой получается
при одновременном действии слабого постоянного магнитного поля, например
Ha, и
переменного поля,
амплитуда которого плавно убывает
от значения, соответствующего насыщению, до нуля при каждом значении
постоянного поля (рис. 6.14). В результате индукция возрастает от значения
Ba до Bd, соответствующая последней
точка a'
лежит на безгистерезисной
кривой. Безгистере-зисная кривая обратима, отличается высокой
магнитной проницаемостью ца h, практически
постоянной при индукциях от нуля до (0,5.. .0,7)
Bs.
Отклонение безгистерезисной кривой от
, Рис. 6.14. Безгистерезисная
оси
ординат обусловлено дефектами
кристалли- и обычная (2)
кривые
ческой структуры материала. намагничивания