кристалла в этом направлении. В
плоскости чертежа все возмущения — отклонения атомов от нормальных
позиций, которые они занимали до прихода сюда дислокации, —
практически полностью гасятся при удалении от оси дислокации на несколько
межатомных расстояний. Поэтому дислокации являются линейными дефектами
решетки: их размер в одном направлении велик, а в двух других —
мал.
Если мы взглянем на кристалл,
изображенный на рис. 4Ь сверху, то дислокация спроектируется в прямую
линию которая будет стремиться занять симметричное положение между
двумя соседними плоскостями (позиция 4 на рис. 42). Эта линия
должна будет перейти в соседнюю аналогичную позицию, преодолев барьер,
обозначенный пунктиром. Дислокация и здесь ищет обходные пути, возможность
выполнить эту работу не сразу, а постепенно. Вначале в новое положение
переходит лишь небольшая часть длины дислокации — позиция 5
— высаживается десант, а затем перетягивается остальная часть —
позиция 6. Так сами дислокации, призванные обеспечить постепенность
сдвига, в своем движении используют тот же принцип постепенности: в
процессе перехода «на горке» находится не вся длина дислокации, а в каждый
данный момент — лишь ее небольшая часть. Многократно повторяясь,
такой процесс приведет к выходу дислокации на поверхность — позиция
3.
§ 4. Сколько требуется дислокаций?
Мы не будем рассматривать здесь
другую штегорию линейных дефектов — так называемые винто-!ые дислокации,
хотя они играют не менее важную роль ' процессах пластической деформации,
чем краевые. Стро-ние винтовых дислокаций и их движение в решетке меют
свои отличительные особенности, но пусть они станутся за кадром. Будем
считать, что мы в основном ыяснили, как происходит скольжение в
кристаллах. Но вслед за фундаментальными вопросами «что, как почему?»
обычно следует уже более прозаическое: сколько?». Ответ на этот простой
вопрос иногда ста-ит новые «как и почему», в чем мы уже могли убедиться.
1апример, Френкель первый задался вопросом, какое апряжение (сколько
мегапаскалей) нужно приложить,
