Машиностроение. Энциклопедия Оборудование для сварки

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Машиностроение. Энциклопедия Оборудование для сварки

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 438 439 440 441 442 443 444... 494 495 496

	ОПИСАНИЕ ОБОРУДОВАНИЯ 441 постоянного и оперативного запоминающих устройств, оптоволоконной системы). В режиме модифицирования поверхности система формирует высокочастотную растро- вую развертку электронного пучка. В режиме гравировки программно задается текст надпи- си, которая будет нанесена электронным пучком на поверхности изделия. При этом воспроизводятся цифры, буквы русского и ла- тинского алфавита. Специализированные пирометрические системы позволяют осуществлять контроль па- раметров температурного поля при электрон- но-лучевом модифицировании поверхностей бесконтактно, через иллюминатор вакуумной камеры. Так, с помощью пирометрических сканирующих систем СКАПИР-01 и СКА- ПИ Р-02 можно контролировать распределе- ние температуры при нагреве поверхности ме- таллов в диапазоне температур 300...3000°С с точностью 1,5%. При этом пространственная дискретность контроля температуры в точках следующая: 3x3 для системы СКАПИР-01, 50 х 200 для системы СКАПИР-02. Оборудование для ионной имплантации. Принцип работы любой установки для ионной имплантации состоит в ионизации в ионном источнике газообразных, жидких или твердых веществ и ускорении ионов в электростатиче- ском поле. После разделения ионного пучка по массе сепарированный пучок ионов на- правляется на мишень-образец, находящийся в вакуумной камере. Для обеспечения одно- родности распределения заряда на поверхно- сти проводят сканирование. Дозу импланта- ции определяют интегратором тока. Установки для ионной имплантации различаются спосо- бами ускорения, напряжением, способами фо- кусировки, источниками питания. Установка для ионной имплантации включает: ионный источник У; системы уско- рения и фокусировки ионов, разделения пучка ионов по массе, сканирования пучка 6; прием- ную камеру 2 и вакуумную систему (рис. 1.16). Имеется несколько типов ионных источни- ков, основанных на различных принципах ио- низации: электронным ударом, фотоиониза- ция, химическая ионизация. Источники с ионизацией атомов на разо- гретой поверхности твердых тел находят при- менение в исследовательских установках. Основ- ное преимущество источников этого типа — ма- лый разброс ионов по энергиям, основной не- достаток — сравнительно малые токи. Такие источники используются при контролируемом нанесении пленок щелочных и щелочно-зе- мельных металлов, для получения пучков ма- лого диаметра, в установках для получения уз- ловых закономерностей при взаимодействии ионов с твердым телом, при анализе материа- лов. Источник ионизации электронным ударом типа Нира применяется в масс-спектромет- рических устройствах. Сила выходного тока не превышает нескольких микроампер вслед- ствие низкой ионизации (10~5). Разброс по Рис. 1.16. Схема установки для ионно-лучевой обра- ботки с сепарацией (I) и без сепарации ионного пучка (II): 1 — ионный источник; 2 — приемная камера; 3 — обрабатываемые детали; 4 — ионный пучок; 5 — се- паратор; 6 — система сканирования пучка энергиям составляет 2...3 эВ. В источниках ти- па плазмотрона также используется иониза- ция атомов электронным ударом. Они обес- печивают значительные ионные токи при ма- лом разбросе ионов по энергиям, не превы- шающем 10 эВ. Основной недостаток — необ- ходимость использования блоков электриче- ского питания, находящихся под высоким по- тенциалом относительно земли. В промышленных установках ИЛУ-4 и ,гВезувий-4" применены источники с дуговым разрядом в парах рабочих веществ. Кроме то- го, для стабильного поддержания дугового раз- ряда используется также ионизация электрон- ным ударом. Рабочим веществом может быть газ (например, аргон), водород, гелий или пар (например, фосфор). Главным преимущест- вом дуговых источников является получение ионных пучков с большой силой тока. К не- достаткам относятся сложный состав получае- мого ионного тока, необходимость специаль- ной стабилизации разряда, разброс ионов по энергиям, неравномерность плотности тока по сечению пучка. В газоразрядных источниках с горячим ка- тодом типа Пеннинга ионизация молекул и атомов осуществляется электронным ударом. Источники такого типа характеризуются значительным (менее 100 эВ) разбросом ионов по энергиям. В составе пучка находятся ионы материалов электродов, подвергнутых ионной бомбардировке и распылению. Такие источники используются в установках для об- работки материалов ионными пучками, нане- сения покрытий. В высокочастотных разрядных ионных ис- точниках электроны получают необходимую энергию для ионизации атомов, ускоряясь в электрическом высокочастотном поле. Раз- брос ионов по энергиям в таких источниках составлял 50... 100 эВ, а в новых конструкциях он снижен до 1...2 эВ. Основными недостатка- rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу