система охлаждения 4 газоразрядного уст-
ройства и термостатирования рабочей каме-
ры, предназначенная для охлаждения мишени
и анода в распылительном устройстве, дета-
лей испарительного устройства при термиче-
ском испарении;
источник питания 5 вспомогательного раз-
ряда, предназначенный для создания несамо-
стоятельного разряда;
дуговое газоразрядное устройство 6, пред-
назначенное для создания потока ионизиро-
ванного пара;
устройство 7 подпитки тигля, служащее
для пополнения тигля материала и обеспечи-
вающее требуемую технологическим процес-
сом температуру и уровень расплавленного ме-
талла в тигле;
устройство 8 перемещения и ориентации
покрываемых деталей, предназначенное для
повышения равномерности распределения
конденсата на детали;
откачной пост 9, предназначенный для
создания вакуума в рабочей камере и поддер-
жания определенного давления в процессе на-
несения покрытия;
система управления 10 технологическим
процессом, настраиваемая на определенный
технологический цикл нанесения покрытия.
Ниже рассматривается оборудование для
особых способов ионно-плазменного нанесе-
ния покрытий (рис. 1.14).
Оборудование для катодного распыления
представлено типичной установкой УВН-75П-1
(рис. 1.14, а), которая предназначена для на-
несения покрытий на гибридные интеграль-
ные схемы. Техническая характеристика уста-
новки приведена ниже.
Число распылителей...................3
Распылитель на постоянном токе (два)
Напряжение, кВ......................5
Плотность ионного тока, А/см2..........1
Распылитель высокочастотный (один)
Напряжение, В.......................3
Частота, мГц......................1,76
Предельное давление остаточных
газов, Па.......................7 • Ю-5
Рабочее давление, Па..............1...100
