дислокации можно представить себе
как смещение в кристалле одной части атомных рядов по отношению к другой
(рис. 9, а) под влиянием
сдвиговых напряжений — т. При этом в месте кристалла у вершины
смещения образуется винтовая дислокация (рис. 9, б).
В связи с меньшей энергетической
устойчивостью места выхода дислокаций на поверхность легче травятся и
обнаруживаются, таким образом, на полированной поверхности в виде ямок
травления (рис. 10).
Причины образования дислокаций до
сих пор достаточно точно не установлены. Однако чаще всего появление их
связывают с условиями кристаллизации. При этом значение могут иметь
различные факторы, нарушающие последовательное бездефектное
построение кристаллической решетки металла. Этими факторами могут
быть возникновение напряжений в растущем кристалле, его деформация,
сегрегация примесей с изменением состава смежных атомных слоев,
ускоренное охлаждение, осложняющее нормальные условия роста
зерен.
Особенно большое скопление
дислокаций имеет место на границах зерен. В этих участках высокая
плотность дислокаций связана с сильной (большеугловой) разориентировкой
атомных плоскостей на поверхностях различных зерен, выросших из
разных центров. Однако повышенная плотность дислокаций имеет место и
на границах субзерен с небольшой разориентировкой (малоугловые границы),
образовавшихся вследствие полигони-зации.
Размножение дислокаций происходит
при пластической деформации. В этом случае протекают-также процессы
движения и торможения дислокаций. 24
