будут кристаллографическими
координатными осями, а масштаб выразится в осевых единицах. Индексами той
или иной плоскости будут три целых числа, обратно пропорциональные числу
осевых единиц, отсекаемых плоскостью на соответствующих координатных осях.
Например, для кубической решетки (рис. 6, а) плоскость грани куба отсекает
на осях отрезки 1; оо; оо. Обратные величины этим значениям: 1; 0; 0.
Соответственно диагональная плоскость будет иметь индексы (110 — рис. 6, б). Положение плоскостей (111) и (112) для кубических решеток
видно на рис. 6, в и 6,
г. Кристаллографические
плоскости гранецентрированной решетки представлены на рис. 6, д, е, ж.
Важная характеристика различных
атомных плоскостей, густота заполнения ее атомами, по существу,
определяет прочность связи на этой плоскости. В кубической
объемно-центрированной решетке на плоскости (100) имеются четыре атома (в
элементарной ячейке). Однако каждый из этих атомов одновременно
принадлежит четырем ячейкам. Поэтому каждая плоскость (100) площадью а2
имеет 1 атом. Диагональная плоскость объемно-центрированной решетки имеет
2 атома при площади а2 \г2, т. е. на один
атом при-
а2
У 2
ходится —j— площади, т. е. плоскость
(ПО) гуще заполнена
атомами, чем плоскость (100).
В гранецентрированной кубической решетке, наоборот, плоскость
(100) более густо
заполнена атомами, чем плоскость (ПО). Еще больше атомов имеется
на плоскости (Ш) этой решетки.
Различная плотность атомов на
разных плоскостях определяет различие по разным направлениям свойств
ячейки и комплекса ячеек, образующих монокристалл. Такое различие свойств
по Разным направлениям называют анизотропией.
Рассматривая данные табл. 3,
можно отметить некоторые обстоятельства, которые должны иметь
значение для сварки различ-