Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 66 67 68 69 70 71 72... 382 383 384

	 Формирование структуры деформированных металлов и сплавов 69 Рис. 4.3. Системы скольжения в металлах с ГЦК (а), ОЦК (б) и ГПУ (в) решетками; заштри­хованы плоскости наиболее легкого скольжения: 1 — плоскость (1ГД); 2 — плоскость (123); 3 — плоскость базиса; 4 — пирамидальная плоскость скольжения; 5 — призматическая плоскость скольжения плоскостях с менее плотной упаковкой атомов. Увеличение количества систем скольжения сопровождается повыше­нием способности металла к пластиче­ской деформации. В частности, при с/а < < 1,63 у циркония и титана скольжение идет по плоскостям базиса, пирами­дальным и призматическим плоскостям, так как близки значения критических напряжений сдвига в этих плоскостях. Поэтому эти металлы более пластичны, чем магний или цинк, у которых сколь­жение идет только по плоскостям базиса. Элементарный акт сдвига-это смеще­ние одной части кристалла относитель­но другой на одно межатомное расстоя­ние (рис. 4.4). В идеальном кристалле, в котором нет дефектов структуры, в скольжении должны одновременно участвовать все атомы, находящиеся в плоскости сдвига. Для такого синхрон­ного «жесткого» сдвига требуется, как показывают расчеты, критическое каса­тельное напряжение тк = С/2л*0,16С (б-модуль упругости сдвига). Эту вели­чину тк называют теоретической проч­ностью кристалла. В реальных кристал­лах для сдвига на одно межатомное расстояние требуются напряжения около 10~4С, что в 1000 раз меньше теоретического значения. Низкая проч­ность реальных кристаллов обусловлена их структурным несовершенством. Пластическая деформация в реальных кристаллах осуществляется путем по­следовательного перемещения дислока­ций (см. рис. 4.4). Дислокация легко движется в той плоскости, в которой на­ходятся дислокационная линия и ее век­тор Бюргерса. Под действием касатель­ного напряжения избыточная полупло­скость в верхней части кристалла соеди­няется в одну атомную плоскость с расположенной ниже частью соседней Рис. 4.4. Схема перемещения краевой дислокации при скольжении rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу